Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleiders Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers
n0 = ni^2/p0
Deze formule gebruikt 3 Variabelen
Variabelen gebruikt
Meerderheid Carrier Concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Majority Carrier Concentration is het aantal dragers in de geleidingsband zonder extern toegepaste bias.
Intrinsieke dragerconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke dragerconcentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.
Concentratie van minderheidsdragers - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Minority Carrier Concentration is het aantal dragers in de valentieband zonder extern toegepaste bias.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Intrinsieke dragerconcentratie: 120000000 1 per kubieke meter --> 120000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Concentratie van minderheidsdragers: 91000000 1 per kubieke meter --> 91000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
n0 = ni^2/p0 --> 120000000^2/91000000
Evalueren ... ...
n0 = 158241758.241758
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
158241758.241758 1 per kubieke meter --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
158241758.241758 1.6E+8 1 per kubieke meter <-- Meerderheid Carrier Concentratie
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri
Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

Halfgeleiderkenmerken Rekenmachines

Geleidbaarheid in halfgeleiders
​ LaTeX ​ Gaan Geleidbaarheid = (Elektronendichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron)+(Gaten Dichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten)
Lengte elektronendiffusie
​ LaTeX ​ Gaan Elektron diffusie lengte = sqrt(Elektronendiffusieconstante*Minderheid Carrier Lifetime)
Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders
​ LaTeX ​ Gaan Fermi-niveau intrinsieke halfgeleider = (Geleidingsband energie+Valance Band-energie)/2
Mobiliteit van ladingdragers
​ LaTeX ​ Gaan Laaddragers Mobiliteit = Drift snelheid/Elektrische veldsterkte

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleiders Formule

​LaTeX ​Gaan
Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers
n0 = ni^2/p0

Wat is een massale actiewet?

In een halfgeleider onder thermisch evenwicht (bij constante temperatuur) is het product van gaten en elektronen altijd constant en gelijk aan het kwadraat van de intrinsieke halfgeleider.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!