✖PMOS-poortafvoercapaciteit is de capaciteit tussen de poort- en afvoeraansluitingen van een PMOS-transistor, die van invloed is op de schakelsnelheid en het stroomverbruik in digitale circuittoepassingen.ⓘ PMOS Gate-afvoercapaciteit [C_gd,p]			+10% -10%
✖NMOS-poortafvoercapaciteit is de capaciteit tussen de poort- en afvoeraansluitingen van een NMOS-transistor, die de schakelsnelheid en het stroomverbruik in digitale circuittoepassingen beïnvloedt.ⓘ NMOS Gate Drain-capaciteit [C_gd,n]			+10% -10%
✖PMOS drain bulkcapaciteit verwijst naar de capaciteit tussen de drainterminal en het substraat van een PMOS-transistor, waardoor het gedrag ervan in verschillende circuittoepassingen wordt beïnvloed.ⓘ PMOS-afvoerbulkcapaciteit [C_db,p]			+10% -10%
✖NMOS drain bulkcapaciteit verwijst naar de capaciteit tussen de drainterminal en de bulk (substraat) van een NMOS-transistor, wat van invloed is op de schakelkarakteristieken en algehele prestaties.ⓘ NMOS-afvoer bulkcapaciteit [C_db,n]			+10% -10%
✖Omvormer CMOS interne capaciteit verwijst naar de parasitaire capaciteiten binnen een CMOS-omvormer, inclusief junctie- en overlapcapaciteiten, die de schakelsnelheid en het stroomverbruik beïnvloeden.ⓘ Omvormer CMOS interne capaciteit [C_in]			+10% -10%
✖CMOS-poortcapaciteit van de omvormer is de totale capaciteit aan de gate-aansluiting van een CMOS-omvormer, die van invloed is op de schakelsnelheid en het stroomverbruik, bestaande uit gate-to-source.ⓘ Omvormer CMOS-poortcapaciteit [C_g]			+10% -10%

✖CMOS-belastingscapaciteit van de omvormer is de capaciteit die wordt aangestuurd door de uitgang van een CMOS-omvormer, inclusief bedrading, ingangscapaciteiten van aangesloten poorten en parasitaire capaciteiten.ⓘ Belastingscapaciteit van gecascadeerde CMOS-omvormer [C_load]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Belastingscapaciteit van gecascadeerde CMOS-omvormer

Formule

`"C"_{"load"} = "C"_{"gd,p"}+"C"_{"gd,n"}+"C"_{"db,p"}+"C"_{"db,n"}+"C"_{"in"}+"C"_{"g"}`

Voorbeeld

`"0.93fF"="0.15fF"+"0.1fF"+"0.25fF"+"0.2fF"+"0.05fF"+"0.18fF"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden CMOS-omvormers Formules Pdf PDF Image

Belastingscapaciteit van gecascadeerde CMOS-omvormer Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Omvormer CMOS-belastingscapaciteit = PMOS Gate-afvoercapaciteit+NMOS Gate Drain-capaciteit+PMOS-afvoerbulkcapaciteit+NMOS-afvoer bulkcapaciteit+Omvormer CMOS interne capaciteit+Omvormer CMOS-poortcapaciteit
C_load = C_gd,p+C_gd,n+C_db,p+C_db,n+C_in+C_g
Deze formule gebruikt 7 Variabelen

Variabelen gebruikt

Omvormer CMOS-belastingscapaciteit - (Gemeten in Farad) - CMOS-belastingscapaciteit van de omvormer is de capaciteit die wordt aangestuurd door de uitgang van een CMOS-omvormer, inclusief bedrading, ingangscapaciteiten van aangesloten poorten en parasitaire capaciteiten.
PMOS Gate-afvoercapaciteit - (Gemeten in Farad) - PMOS-poortafvoercapaciteit is de capaciteit tussen de poort- en afvoeraansluitingen van een PMOS-transistor, die van invloed is op de schakelsnelheid en het stroomverbruik in digitale circuittoepassingen.
NMOS Gate Drain-capaciteit - (Gemeten in Farad) - NMOS-poortafvoercapaciteit is de capaciteit tussen de poort- en afvoeraansluitingen van een NMOS-transistor, die de schakelsnelheid en het stroomverbruik in digitale circuittoepassingen beïnvloedt.
PMOS-afvoerbulkcapaciteit - (Gemeten in Farad) - PMOS drain bulkcapaciteit verwijst naar de capaciteit tussen de drainterminal en het substraat van een PMOS-transistor, waardoor het gedrag ervan in verschillende circuittoepassingen wordt beïnvloed.
NMOS-afvoer bulkcapaciteit - (Gemeten in Farad) - NMOS drain bulkcapaciteit verwijst naar de capaciteit tussen de drainterminal en de bulk (substraat) van een NMOS-transistor, wat van invloed is op de schakelkarakteristieken en algehele prestaties.
Omvormer CMOS interne capaciteit - (Gemeten in Farad) - Omvormer CMOS interne capaciteit verwijst naar de parasitaire capaciteiten binnen een CMOS-omvormer, inclusief junctie- en overlapcapaciteiten, die de schakelsnelheid en het stroomverbruik beïnvloeden.
Omvormer CMOS-poortcapaciteit - (Gemeten in Farad) - CMOS-poortcapaciteit van de omvormer is de totale capaciteit aan de gate-aansluiting van een CMOS-omvormer, die van invloed is op de schakelsnelheid en het stroomverbruik, bestaande uit gate-to-source.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

PMOS Gate-afvoercapaciteit: 0.15 Femtofarad --> 1.5E-16 Farad (Bekijk de conversie hier)
NMOS Gate Drain-capaciteit: 0.1 Femtofarad --> 1E-16 Farad (Bekijk de conversie hier)
PMOS-afvoerbulkcapaciteit: 0.25 Femtofarad --> 2.5E-16 Farad (Bekijk de conversie hier)
NMOS-afvoer bulkcapaciteit: 0.2 Femtofarad --> 2E-16 Farad (Bekijk de conversie hier)
Omvormer CMOS interne capaciteit: 0.05 Femtofarad --> 5E-17 Farad (Bekijk de conversie hier)
Omvormer CMOS-poortcapaciteit: 0.18 Femtofarad --> 1.8E-16 Farad (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_load = C_gd,p+C_gd,n+C_db,p+C_db,n+C_in+C_g --> 1.5E-16+1E-16+2.5E-16+2E-16+5E-17+1.8E-16

Evalueren ... ...

C_load = 9.3E-16

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

9.3E-16 Farad -->0.93 Femtofarad (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.93 Femtofarad <-- Omvormer CMOS-belastingscapaciteit

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » CMOS-omvormers » Belastingscapaciteit van gecascadeerde CMOS-omvormer

Credits

Gemaakt door Prijanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College voor techniek (LDCE), Ahmedabad

Prijanka Patel heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

< 16 CMOS-omvormers Rekenmachines

Voortplantingsvertraging voor CMOS-transitie met lage naar hoge output

Gaan Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output = (Omvormer CMOS-belastingscapaciteit/(Transconductantie van PMOS*(Voedingsspanning-abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel))))*(((2*abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel))/(Voedingsspanning-abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel)))+ln((4*(Voedingsspanning-abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel))/Voedingsspanning)-1))

Voortplantingsvertraging voor CMOS-transitie met hoge naar lage output

Gaan Tijd voor overgang van hoog naar laag output = (Omvormer CMOS-belastingscapaciteit/(Transconductantie van NMOS*(Voedingsspanning-Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning)))*((2*Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning/(Voedingsspanning-Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning))+ln((4*(Voedingsspanning-Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning)/Voedingsspanning)-1))

Resistieve belasting Minimale uitgangsspanning CMOS

Gaan Resistieve belasting Minimale uitgangsspanning = Voedingsspanning-Zero Bias-drempelspanning+(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))-sqrt((Voedingsspanning-Zero Bias-drempelspanning+(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand)))^2-(2*Voedingsspanning/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand)))

Maximale ingangsspanning CMOS

Gaan Maximale ingangsspanning CMOS = (2*Uitgangsspanning voor maximale invoer+(Drempelspanning van PMOS zonder lichaamsvooroordeel)-Voedingsspanning+Transconductantieverhouding*Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel)/(1+Transconductantieverhouding)

Drempelspanning CMOS

Gaan Drempelspanning = (Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel+sqrt(1/Transconductantieverhouding)*(Voedingsspanning+(Drempelspanning van PMOS zonder lichaamsvooroordeel)))/(1+sqrt(1/Transconductantieverhouding))

Resistieve belasting Minimale ingangsspanning CMOS

Gaan Resistieve belasting Minimale ingangsspanning = Zero Bias-drempelspanning+sqrt((8*Voedingsspanning)/(3*Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))-(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))

Minimale ingangsspanning CMOS

Gaan Minimale ingangsspanning = (Voedingsspanning+(Drempelspanning van PMOS zonder lichaamsvooroordeel)+Transconductantieverhouding*(2*Uitgangsspanning+Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel))/(1+Transconductantieverhouding)

Belastingscapaciteit van gecascadeerde CMOS-omvormer

Gaan Omvormer CMOS-belastingscapaciteit = PMOS Gate-afvoercapaciteit+NMOS Gate Drain-capaciteit+PMOS-afvoerbulkcapaciteit+NMOS-afvoer bulkcapaciteit+Omvormer CMOS interne capaciteit+Omvormer CMOS-poortcapaciteit

Resistieve belasting Maximale ingangsspanning CMOS

Gaan Resistieve belasting Maximale ingangsspanning CMOS = Zero Bias-drempelspanning+(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))

Gemiddelde voortplantingsvertraging CMOS

Gaan Gemiddelde voortplantingsvertraging = (Tijd voor overgang van hoog naar laag output+Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output)/2

Gemiddelde vermogensdissipatie CMOS

Gaan Gemiddelde vermogensdissipatie = Omvormer CMOS-belastingscapaciteit*(Voedingsspanning)^2*Frequentie

Maximale ingangsspanning voor symmetrische CMOS

Gaan Maximale ingangsspanning Symmetrische CMOS = (3*Voedingsspanning+2*Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel)/8

Minimale ingangsspanning voor symmetrische CMOS

Gaan Minimale ingangsspanning Symmetrische CMOS = (5*Voedingsspanning-2*Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel)/8

Oscillatieperiode Ringoscillator CMOS

Gaan Oscillatieperiode = 2*Aantal fasen Ringoscillator*Gemiddelde voortplantingsvertraging

Transconductantieverhouding CMOS

Gaan Transconductantieverhouding = Transconductantie van NMOS/Transconductantie van PMOS

Ruismarge voor CMOS met hoog signaal

Gaan Ruismarge voor hoog signaal = Maximale uitgangsspanning-Minimale ingangsspanning

Belastingscapaciteit van gecascadeerde CMOS-omvormer Formule

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!