K-Prime Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
K Prime = Mobiliteit in MOSFET*Capaciteit van Gate Oxide Layer
Kp = μeff*Cox
Deze formule gebruikt 3 Variabelen
Variabelen gebruikt
K Prime - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - K Prime is de omgekeerde snelheidsconstante van de reactie.
Mobiliteit in MOSFET - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Mobiliteit in MOSFET wordt gedefinieerd op basis van het vermogen van een elektron om snel door een metaal of halfgeleider te bewegen, wanneer het door een elektrisch veld wordt getrokken.
Capaciteit van Gate Oxide Layer - (Gemeten in Farad per vierkante meter) - De capaciteit van de poortoxidelaag wordt gedefinieerd als de capaciteit van de poortaansluiting van een veldeffecttransistor.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Mobiliteit in MOSFET: 0.15 Vierkante centimeter per volt seconde --> 1.5E-05 Vierkante meter per volt per seconde (Bekijk de conversie ​hier)
Capaciteit van Gate Oxide Layer: 29.83 Microfarad per vierkante millimeter --> 29.83 Farad per vierkante meter (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Kp = μeff*Cox --> 1.5E-05*29.83
Evalueren ... ...
Kp = 0.00044745
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.00044745 Vierkante meter per volt per seconde -->4.4745 Vierkante centimeter per volt seconde (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
4.4745 Vierkante centimeter per volt seconde <-- K Prime
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Lichaamseffectcoëfficiënt
​ LaTeX ​ Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))
DIBL-coëfficiënt
​ LaTeX ​ Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel
Kanaallading
​ LaTeX ​ Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)
Kritieke spanning
​ LaTeX ​ Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

K-Prime Formule

​LaTeX ​Gaan
K Prime = Mobiliteit in MOSFET*Capaciteit van Gate Oxide Layer
Kp = μeff*Cox

Wat is een transistor?

In de elektronica is een transistor een halfgeleiderapparaat dat gewoonlijk wordt gebruikt om elektronische signalen te versterken of te schakelen. De transistor is de fundamentele bouwsteen van computers en alle andere moderne elektronische apparaten. Sommige transistors zijn afzonderlijk verpakt, maar de meeste zijn te vinden in geïntegreerde schakelingen.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!