KGV rekenmachine

Verbindingsdiepte na volledige schaling VLSI Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

VLSI-fabricage Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

VLSI-materiaaloptimalisatie Analoog VLSI-ontwerp

✖Verbindingsdiepte wordt gedefinieerd als de afstand vanaf het oppervlak van een halfgeleidermateriaal tot het punt waar een significante verandering in de concentratie van doteringsatomen optreedt.ⓘ Verbindingsdiepte [x_j]			+10% -10%
✖De schaalfactor wordt gedefinieerd als de verhouding waarmee de afmetingen van de transistor tijdens het ontwerpproces worden gewijzigd.ⓘ Schaalfactor [Sf]			+10% -10%

✖Verbindingsdiepte na volledige schaling wordt gedefinieerd als de afstand vanaf het oppervlak tot het punt waar een verandering in de concentratie van doteringsatomen optreedt na volledige schaling.ⓘ Verbindingsdiepte na volledige schaling VLSI [x_j']

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Verbindingsdiepte na volledige schaling VLSI

Formule

x j' = \frac{x j}{Sf}

Voorbeeld

1.333333 μm = \frac{2 μm}{1.5}

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Verbindingsdiepte na volledige schaling VLSI Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Verbindingsdiepte na volledige schaling = Verbindingsdiepte/Schaalfactor
x_j' = x_j/Sf
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Verbindingsdiepte na volledige schaling - (Gemeten in Meter) - Verbindingsdiepte na volledige schaling wordt gedefinieerd als de afstand vanaf het oppervlak tot het punt waar een verandering in de concentratie van doteringsatomen optreedt na volledige schaling.
Verbindingsdiepte - (Gemeten in Meter) - Verbindingsdiepte wordt gedefinieerd als de afstand vanaf het oppervlak van een halfgeleidermateriaal tot het punt waar een significante verandering in de concentratie van doteringsatomen optreedt.
Schaalfactor - De schaalfactor wordt gedefinieerd als de verhouding waarmee de afmetingen van de transistor tijdens het ontwerpproces worden gewijzigd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Verbindingsdiepte: 2 Micrometer --> 2E-06 Meter (Bekijk de conversie hier)
Schaalfactor: 1.5 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

x_j' = x_j/Sf --> 2E-06/1.5

Evalueren ... ...

x_j' = 1.33333333333333E-06

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.33333333333333E-06 Meter -->1.33333333333333 Micrometer (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.33333333333333 ≈ 1.333333 Micrometer <-- Verbindingsdiepte na volledige schaling

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » VLSI-materiaaloptimalisatie » Verbindingsdiepte na volledige schaling VLSI

Credits

Gemaakt door Prijanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College voor techniek (LDCE), Ahmedabad

Prijanka Patel heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Lichaamseffectcoëfficiënt

Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))

DIBL-coëfficiënt

Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel

Kanaallading

Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Kritieke spanning

Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Bekijk meer >>