GGD van drie getallen

Verbinding Ingebouwde spanning VLSI Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

VLSI-fabricage Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

VLSI-materiaaloptimalisatie Analoog VLSI-ontwerp

✖Temperatuur weerspiegelt hoe warm of koud een object of omgeving is.ⓘ Temperatuur [T]			+10% -10%
✖Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.ⓘ Acceptorconcentratie [N_A]			+10% -10%
✖Donorconcentratie verwijst naar de concentratie van donordoteringsatomen die in een halfgeleidermateriaal worden geïntroduceerd om het aantal vrije elektronen te vergroten.ⓘ Donorconcentratie [N_D]			+10% -10%
✖Intrinsieke concentratie verwijst naar de concentratie van ladingsdragers (elektronen en gaten) in een intrinsieke halfgeleider bij thermisch evenwicht.ⓘ Intrinsieke concentratie [N_i]			+10% -10%

✖De ingebouwde junctiespanning wordt gedefinieerd als de spanning die bestaat over een halfgeleiderjunctie in thermisch evenwicht, waarbij geen externe spanning wordt toegepast.ⓘ Verbinding Ingebouwde spanning VLSI [Ø₀]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Verbinding Ingebouwde spanning VLSI Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Junction Ingebouwde spanning = ([BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e])*ln(Acceptorconcentratie*Donorconcentratie/(Intrinsieke concentratie)^2)
Ø₀ = ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N_A*N_D/(N_i)^2)
Deze formule gebruikt 2 Constanten, 1 Functies, 5 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
[BoltZ] - Boltzmann-constante Waarde genomen als 1.38064852E-23

Functies die worden gebruikt

ln - De natuurlijke logaritme, ook wel logaritme met grondtal e genoemd, is de inverse functie van de natuurlijke exponentiële functie., ln(Number)

Variabelen gebruikt

Junction Ingebouwde spanning - (Gemeten in Volt) - De ingebouwde junctiespanning wordt gedefinieerd als de spanning die bestaat over een halfgeleiderjunctie in thermisch evenwicht, waarbij geen externe spanning wordt toegepast.
Temperatuur - (Gemeten in Kelvin) - Temperatuur weerspiegelt hoe warm of koud een object of omgeving is.
Acceptorconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.
Donorconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Donorconcentratie verwijst naar de concentratie van donordoteringsatomen die in een halfgeleidermateriaal worden geïntroduceerd om het aantal vrije elektronen te vergroten.
Intrinsieke concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke concentratie verwijst naar de concentratie van ladingsdragers (elektronen en gaten) in een intrinsieke halfgeleider bij thermisch evenwicht.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Temperatuur: 300 Kelvin --> 300 Kelvin Geen conversie vereist
Acceptorconcentratie: 1E+16 1 per kubieke centimeter --> 1E+22 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Donorconcentratie: 1E+17 1 per kubieke centimeter --> 1E+23 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Intrinsieke concentratie: 14500000000 1 per kubieke centimeter --> 1.45E+16 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

Ø₀ = ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N_A*N_D/(N_i)^2) --> ([BoltZ]*300/[Charge-e])*ln(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2)

Evalueren ... ...

Ø₀ = 0.75463200359389

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.75463200359389 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.75463200359389 ≈ 0.754632 Volt <-- Junction Ingebouwde spanning

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » VLSI-materiaaloptimalisatie » Verbinding Ingebouwde spanning VLSI

Credits

Gemaakt door Prijanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College voor techniek (LDCE), Ahmedabad

Prijanka Patel heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Lichaamseffectcoëfficiënt

LaTeX Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))

DIBL-coëfficiënt

LaTeX Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel

Kanaallading

LaTeX Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Kritieke spanning

LaTeX Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Bekijk meer >>

Verbinding Ingebouwde spanning VLSI Formule

LaTeX Gaan

Junction Ingebouwde spanning = ([BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e])*ln(Acceptorconcentratie*Donorconcentratie/(Intrinsieke concentratie)^2)
Ø₀ = ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N_A*N_D/(N_i)^2)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!