Ingangscapaciteit van IGBT Rekenmachine

✖Gate to Emitter Capacitance (IGBT) is de capaciteit tussen de gate- en emitteraansluitingen van het apparaat.ⓘ Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT) [C_(g-e)(igbt)]			+10% -10%
✖Gate to Collector Capacitance (IGBT), ook bekend als de Miller-capaciteit, is een parasitaire capaciteit die bestaat tussen de gate- en collectorterminals van een IGBT.ⓘ Poort naar collectorcapaciteit (IGBT) [C_(g-c)(igbt)]			+10% -10%

✖Ingangscapaciteit (IGBT) is de capaciteit tussen de poort- en emitteraansluitingen van het apparaat.ⓘ Ingangscapaciteit van IGBT [C_in(igbt)]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Geavanceerde transistorapparaten Formules Pdf PDF Image

Ingangscapaciteit van IGBT Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Ingangscapaciteit (IGBT) = Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT)+Poort naar collectorcapaciteit (IGBT)
C_in(igbt) = C_(g-e)(igbt)+C_(g-c)(igbt)
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Ingangscapaciteit (IGBT) - (Gemeten in Farad) - Ingangscapaciteit (IGBT) is de capaciteit tussen de poort- en emitteraansluitingen van het apparaat.
Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT) - (Gemeten in Farad) - Gate to Emitter Capacitance (IGBT) is de capaciteit tussen de gate- en emitteraansluitingen van het apparaat.
Poort naar collectorcapaciteit (IGBT) - (Gemeten in Farad) - Gate to Collector Capacitance (IGBT), ook bekend als de Miller-capaciteit, is een parasitaire capaciteit die bestaat tussen de gate- en collectorterminals van een IGBT.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT): 0.21 Farad --> 0.21 Farad Geen conversie vereist
Poort naar collectorcapaciteit (IGBT): 5.55 Farad --> 5.55 Farad Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_in(igbt) = C_(g-e)(igbt)+C_(g-c)(igbt) --> 0.21+5.55

Evalueren ... ...

C_in(igbt) = 5.76

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

5.76 Farad --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

5.76 Farad <-- Ingangscapaciteit (IGBT)

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektrisch » Vermogenselektronica » Geavanceerde transistorapparaten » IGBT » Ingangscapaciteit van IGBT

Credits

Gemaakt door Mohammed Fazil V

Acharya instituut voor technologie (AIT), Bengaluru

Mohammed Fazil V heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

< IGBT Rekenmachines

Spanningsdaling in IGBT in AAN-status

LaTeX Gaan Spanningsval OP podium (IGBT) = Voorwaartse stroom (IGBT)*N-kanaalweerstand (IGBT)+Voorwaartse stroom (IGBT)*Driftweerstand (IGBT)+Spanning Pn Junction 1 (IGBT)

IGBT-uitschakeltijd

LaTeX Gaan Uitschakeltijd (IGBT) = Vertragingstijd (IGBT)+Initiële valtijd (IGBT)+Laatste herfsttijd (IGBT)

Ingangscapaciteit van IGBT

LaTeX Gaan Ingangscapaciteit (IGBT) = Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT)+Poort naar collectorcapaciteit (IGBT)

Emitterstroom van IGBT

LaTeX Gaan Emitterstroom (IGBT) = Gatstroom (IGBT)+Elektronische stroom (IGBT)

Bekijk meer >>