Ingangscapaciteit in hoogfrequente versterking van CE-versterker Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Ingangscapaciteit = Collectorbasisverbindingscapaciteit+Basis-emittercapaciteit*(1+(Transgeleiding*Belastingsweerstand))
Ci = Ccb+Cbe*(1+(gm*RL))
Deze formule gebruikt 5 Variabelen
Variabelen gebruikt
Ingangscapaciteit - (Gemeten in Farad) - Ingangscapaciteit is de capaciteitswaarde van de spanningsversterker.
Collectorbasisverbindingscapaciteit - (Gemeten in Farad) - Collectorbasisverbindingscapaciteit in actieve modus is omgekeerd voorgespannen en is de capaciteit tussen collector en basis.
Basis-emittercapaciteit - (Gemeten in Farad) - Basisemittercapaciteit is de capaciteit van de junctie die voorwaarts is voorgespannen en wordt weergegeven door een diode.
Transgeleiding - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie is de verhouding tussen de verandering in stroom aan de uitgangsterminal en de verandering in de spanning aan de ingangsterminal van een actief apparaat.
Belastingsweerstand - (Gemeten in Ohm) - Belastingsweerstand is de cumulatieve weerstand van een circuit, zoals blijkt uit de spanning, stroom of krachtbron die dat circuit aandrijft.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Collectorbasisverbindingscapaciteit: 300 Microfarad --> 0.0003 Farad (Bekijk de conversie ​hier)
Basis-emittercapaciteit: 27 Microfarad --> 2.7E-05 Farad (Bekijk de conversie ​hier)
Transgeleiding: 4.8 Millisiemens --> 0.0048 Siemens (Bekijk de conversie ​hier)
Belastingsweerstand: 1.49 Kilohm --> 1490 Ohm (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Ci = Ccb+Cbe*(1+(gm*RL)) --> 0.0003+2.7E-05*(1+(0.0048*1490))
Evalueren ... ...
Ci = 0.000520104
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.000520104 Farad -->520.104 Microfarad (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
520.104 Microfarad <-- Ingangscapaciteit
(Berekening voltooid in 00.006 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri
Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

Reactie van CE-versterker Rekenmachines

Ingangscapaciteit in hoogfrequente versterking van CE-versterker
​ Gaan Ingangscapaciteit = Collectorbasisverbindingscapaciteit+Basis-emittercapaciteit*(1+(Transgeleiding*Belastingsweerstand))
Hoogfrequente versterking van CE-versterker
​ Gaan Hoge frequentierespons = Hogere frequentie van 3 dB/(2*pi)
Bovenste 3dB-frequentie van CE-versterker
​ Gaan Hogere frequentie van 3 dB = 2*pi*Hoge frequentierespons
Middenbandversterking van CE-versterker
​ Gaan Middenbandversterking = Uitgangsspanning/Drempelspanning

Gemeenschappelijke podiumversterkers Rekenmachines

Effectieve hoogfrequente tijdconstante van CE-versterker
​ Gaan Effectieve hoogfrequente tijdconstante = Basis-emittercapaciteit*Signaal weerstand+(Collectorbasisverbindingscapaciteit*(Signaal weerstand*(1+Transgeleiding*Belastingsweerstand)+Belastingsweerstand))+(Capaciteit*Belastingsweerstand)
Hoogfrequente band met complexe frequentievariabele
​ Gaan Versterkerversterking in de middenband = sqrt(((1+(3 dB Frequentie/Frequentie))*(1+(3 dB Frequentie/Frequentie waargenomen)))/((1+(3 dB Frequentie/Poolfrequentie))*(1+(3 dB Frequentie/Tweede poolfrequentie))))
Collectorbasisverbindingsweerstand van CE-versterker
​ Gaan Verzamelaarsweerstand = Signaal weerstand*(1+Transgeleiding*Belastingsweerstand)+Belastingsweerstand
Versterkerbandbreedte in versterker met discrete circuits
​ Gaan Versterker bandbreedte = Hoge frequentie-Lage frequentie

Ingangscapaciteit in hoogfrequente versterking van CE-versterker Formule

Ingangscapaciteit = Collectorbasisverbindingscapaciteit+Basis-emittercapaciteit*(1+(Transgeleiding*Belastingsweerstand))
Ci = Ccb+Cbe*(1+(gm*RL))

Wat wordt bedoeld met CE-versterker?

De gemeenschappelijke emitterversterker is een drievoudige eentraps bipolaire junctie-transistor en wordt gebruikt als een spanningsversterker. De ingang van deze versterker is afkomstig van de basisaansluiting, de uitvoer wordt verzameld van de collectorterminal en de emitteraansluiting is gemeenschappelijk voor beide aansluitingen.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!