GGD van drie getallen

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Geïntegreerde schakelingen (IC)Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

Bipolaire IC-fabricage MOS IC-fabricage Schmitt trigger

✖De elektronenconcentratie wordt beïnvloed door verschillende factoren, zoals temperatuur, onzuiverheden of doteermiddelen die aan het halfgeleidermateriaal worden toegevoegd, en externe elektrische of magnetische velden.ⓘ Elektronenconcentratie [n_e]			+10% -10%
✖Gatenconcentratie impliceert een groter aantal beschikbare ladingsdragers in het materiaal, wat de geleidbaarheid en verschillende halfgeleiderapparaten beïnvloedt.ⓘ Gatenconcentratie [p]			+10% -10%
✖Temperatuuronzuiverheid: een basisindex die de gemiddelde luchttemperatuur over verschillende tijdschalen weergeeft.ⓘ Temperatuuronzuiverheid [t_o]			+10% -10%

✖Intrinsieke concentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.ⓘ Onzuiverheid met intrinsieke concentratie [n_i]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Geïntegreerde schakelingen (IC) Formule Pdf PDF Image

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)
n_i = sqrt((n_e*p)/t_o)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 4 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Intrinsieke concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke concentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.
Elektronenconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - De elektronenconcentratie wordt beïnvloed door verschillende factoren, zoals temperatuur, onzuiverheden of doteermiddelen die aan het halfgeleidermateriaal worden toegevoegd, en externe elektrische of magnetische velden.
Gatenconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Gatenconcentratie impliceert een groter aantal beschikbare ladingsdragers in het materiaal, wat de geleidbaarheid en verschillende halfgeleiderapparaten beïnvloedt.
Temperatuuronzuiverheid - (Gemeten in Kelvin) - Temperatuuronzuiverheid: een basisindex die de gemiddelde luchttemperatuur over verschillende tijdschalen weergeeft.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Elektronenconcentratie: 50.6 1 per kubieke centimeter --> 50600000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Gatenconcentratie: 0.69 1 per kubieke centimeter --> 690000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Temperatuuronzuiverheid: 20 Kelvin --> 20 Kelvin Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

n_i = sqrt((n_e*p)/t_o) --> sqrt((50600000*690000)/20)

Evalueren ... ...

n_i = 1321249.40870375

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1321249.40870375 1 per kubieke meter -->1.32124940870375 1 per kubieke centimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.32124940870375 ≈ 1.321249 1 per kubieke centimeter <-- Intrinsieke concentratie

(Berekening voltooid in 00.008 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » Bipolaire IC-fabricage » Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

Credits

Gemaakt door Rahul Gupta

Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

< Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Geleidbaarheid van N-type

LaTeX Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

LaTeX Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

LaTeX Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)

Doorbraakspanning van collector-emitter

LaTeX Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Bekijk meer >>