Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Totale onzuiverheid = Effectieve verspreiding*(Zenderbasisverbindingsgebied*((Aanval*Intrinsieke concentratie^2)/Collectorstroom)*exp(Spanningsbasis-emitter/Thermische spanning))
Qb = Dn*(A*((q*ni^2)/Ic)*exp(Vbe/Vt))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 8 Variabelen
Functies die worden gebruikt
exp - In een exponentiële functie verandert de waarde van de functie met een constante factor voor elke eenheidsverandering in de onafhankelijke variabele., exp(Number)
Variabelen gebruikt
Totale onzuiverheid - (Gemeten in Plein Meter) - Totale onzuiverheid definieert de onzuiverheden die met een atoom per oppervlakte-eenheid in een basis worden gemengd, of de hoeveelheid onzuiverheid die aan een intrinsieke halfgeleider wordt toegevoegd, varieert het niveau van geleidbaarheid.
Effectieve verspreiding - De effectieve diffusie is een parameter die verband houdt met het diffusieproces van dragers en wordt beïnvloed door materiaaleigenschappen en de geometrie van de halfgeleiderovergang.
Zenderbasisverbindingsgebied - (Gemeten in Plein Meter) - Emitter Base Junction Area is een PN-overgang gevormd tussen het zwaar gedoteerde P-type materiaal (emitter) en het licht gedoteerde N-type materiaal (basis) van de transistor.
Aanval - (Gemeten in Coulomb) - Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.
Intrinsieke concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke concentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.
Collectorstroom - (Gemeten in Ampère) - Collectorstroom is de stroom die door de collectoraansluiting van de transistor vloeit en is de stroom die door de transistor wordt versterkt.
Spanningsbasis-emitter - (Gemeten in Volt) - Spanning Basisemitter is de spanning tussen de basis en de emitter wanneer deze in voorwaartse richting is voorgespannen, waarbij de collector is losgekoppeld.
Thermische spanning - (Gemeten in Volt) - Thermische spanning is de spanning die wordt gecreëerd door de verbinding van ongelijksoortige metalen wanneer er een temperatuurverschil bestaat tussen deze verbindingen.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Effectieve verspreiding: 0.5 --> Geen conversie vereist
Zenderbasisverbindingsgebied: 1.75 Plein Centimeter --> 0.000175 Plein Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Aanval: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Bekijk de conversie ​hier)
Intrinsieke concentratie: 1.32 1 per kubieke centimeter --> 1320000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie ​hier)
Collectorstroom: 4.92 Ampère --> 4.92 Ampère Geen conversie vereist
Spanningsbasis-emitter: 3.5 Volt --> 3.5 Volt Geen conversie vereist
Thermische spanning: 4.1 Volt --> 4.1 Volt Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Qb = Dn*(A*((q*ni^2)/Ic)*exp(Vbe/Vt)) --> 0.5*(0.000175*((0.005*1320000^2)/4.92)*exp(3.5/4.1))
Evalueren ... ...
Qb = 363831.258671893
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
363831.258671893 Plein Meter -->3638312586.71893 Plein Centimeter (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
3638312586.71893 3.6E+9 Plein Centimeter <-- Totale onzuiverheid
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Rahul Gupta
Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab
Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Ritwik Tripathi
Vellore Instituut voor Technologie (VIT Vellore), Vellore
Ritwik Tripathi heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 100+ rekenmachines!

Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Geleidbaarheid van N-type
​ LaTeX ​ Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))
Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid
​ LaTeX ​ Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)
Onzuiverheid met intrinsieke concentratie
​ LaTeX ​ Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)
Doorbraakspanning van collector-emitter
​ LaTeX ​ Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid Formule

​LaTeX ​Gaan
Totale onzuiverheid = Effectieve verspreiding*(Zenderbasisverbindingsgebied*((Aanval*Intrinsieke concentratie^2)/Collectorstroom)*exp(Spanningsbasis-emitter/Thermische spanning))
Qb = Dn*(A*((q*ni^2)/Ic)*exp(Vbe/Vt))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!