Gate-broncapaciteit Rekenmachine

✖Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de verandering in drainstroom en de verandering in gate-source-spanning, uitgaande van een constante drain-source-spanning.ⓘ Transgeleiding [g_m]			+10% -10%
✖Afsnijfrequentie wordt gedefinieerd als hoekfrequentie: een grens in de frequentierespons van het systeem waarbij de energie die door het systeem stroomt, begint te worden verminderd in plaats van er doorheen te gaan.ⓘ Afgesneden frequentie [f_co]			+10% -10%

✖Gate Source Capacitance is een parasitaire capaciteit die bestaat tussen de gate- en source-aansluitingen van een MESFET of andere typen transistors.ⓘ Gate-broncapaciteit [C_gs]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MESFET-kenmerken Formules Pdf PDF Image

Gate-broncapaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Gate-broncapaciteit = Transgeleiding/(2*pi*Afgesneden frequentie)
C_gs = g_m/(2*pi*f_co)
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 3 Variabelen

Gebruikte constanten

pi - De constante van Archimedes Waarde genomen als 3.14159265358979323846264338327950288

Variabelen gebruikt

Gate-broncapaciteit - (Gemeten in Farad) - Gate Source Capacitance is een parasitaire capaciteit die bestaat tussen de gate- en source-aansluitingen van een MESFET of andere typen transistors.
Transgeleiding - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de verandering in drainstroom en de verandering in gate-source-spanning, uitgaande van een constante drain-source-spanning.
Afgesneden frequentie - (Gemeten in Hertz) - Afsnijfrequentie wordt gedefinieerd als hoekfrequentie: een grens in de frequentierespons van het systeem waarbij de energie die door het systeem stroomt, begint te worden verminderd in plaats van er doorheen te gaan.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Transgeleiding: 0.05 Siemens --> 0.05 Siemens Geen conversie vereist
Afgesneden frequentie: 30.05 Hertz --> 30.05 Hertz Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_gs = g_m/(2*pi*f_co) --> 0.05/(2*pi*30.05)

Evalueren ... ...

C_gs = 0.000264816877024784

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.000264816877024784 Farad -->264.816877024784 Microfarad (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

264.816877024784 ≈ 264.8169 Microfarad <-- Gate-broncapaciteit

(Berekening voltooid in 00.009 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Magnetron theorie » Microgolf-halfgeleiders » MESFET-kenmerken » Gate-broncapaciteit

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< MESFET-kenmerken Rekenmachines

Poortlengte van MESFET

LaTeX Gaan Poortlengte = Verzadigde driftsnelheid/(4*pi*Afgesneden frequentie)

Afgesneden frequentie

LaTeX Gaan Afgesneden frequentie = Verzadigde driftsnelheid/(4*pi*Poortlengte)

Gate-broncapaciteit

LaTeX Gaan Gate-broncapaciteit = Transgeleiding/(2*pi*Afgesneden frequentie)

Transconductantie in MESFET

LaTeX Gaan Transgeleiding = 2*Gate-broncapaciteit*pi*Afgesneden frequentie

Bekijk meer >>

Gate-broncapaciteit Formule

LaTeX Gaan

Gate-broncapaciteit = Transgeleiding/(2*pi*Afgesneden frequentie)
C_gs = g_m/(2*pi*f_co)

Wat zijn de toepassingen van MESFET?

MESFET's bieden voordelen zoals hoge versterking, hoge snelheid, weinig ruis en een laag stroomverbruik, waardoor ze geschikt zijn voor verschillende toepassingen in de elektronica, telecommunicatie en biomedische velden.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!