Poortbroncapaciteit Gegeven overlapcapaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Gate-broncapaciteit = (2/3*Transistorbreedte*Lengte van de transistor*Oxidecapaciteit)+(Transistorbreedte*Overlapcapaciteit)
Cgs = (2/3*Wt*Lt*Cox)+(Wt*Cov)
Deze formule gebruikt 5 Variabelen
Variabelen gebruikt
Gate-broncapaciteit - (Gemeten in Farad) - Gate Source Capacitance verwijst naar de capaciteit tussen de gate- en source-aansluitingen van een veldeffecttransistor (FET).
Transistorbreedte - (Gemeten in Meter) - Transistorbreedte verwijst naar de breedte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.
Lengte van de transistor - (Gemeten in Meter) - Transistorlengte verwijst naar de lengte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.
Oxidecapaciteit - (Gemeten in Farad) - Oxidecapaciteit verwijst naar de capaciteit die is geassocieerd met de isolerende oxidelaag in een metaaloxide-halfgeleiderstructuur (MOS), zoals in MOSFET's.
Overlapcapaciteit - (Gemeten in Farad) - Overlapcapaciteit is een parasitaire capaciteit die ontstaat als gevolg van de fysieke overlap tussen de gate- en de source/drain-regio's.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Transistorbreedte: 5.5 Micrometer --> 5.5E-06 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Lengte van de transistor: 3.2 Micrometer --> 3.2E-06 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Oxidecapaciteit: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Geen conversie vereist
Overlapcapaciteit: 2.5 Farad --> 2.5 Farad Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Cgs = (2/3*Wt*Lt*Cox)+(Wt*Cov) --> (2/3*5.5E-06*3.2E-06*3.9)+(5.5E-06*2.5)
Evalueren ... ...
Cgs = 1.375004576E-05
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
1.375004576E-05 Farad -->13.75004576 Microfarad (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
13.75004576 13.75005 Microfarad <-- Gate-broncapaciteit
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore
banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Geleidbaarheid van N-type
​ LaTeX ​ Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))
Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid
​ LaTeX ​ Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)
Onzuiverheid met intrinsieke concentratie
​ LaTeX ​ Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)
Doorbraakspanning van collector-emitter
​ LaTeX ​ Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Poortbroncapaciteit Gegeven overlapcapaciteit Formule

​LaTeX ​Gaan
Gate-broncapaciteit = (2/3*Transistorbreedte*Lengte van de transistor*Oxidecapaciteit)+(Transistorbreedte*Overlapcapaciteit)
Cgs = (2/3*Wt*Lt*Cox)+(Wt*Cov)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!