KGV rekenmachine

Gate-oxidedikte na volledige schaling VLSI Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

VLSI-fabricage Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

VLSI-materiaaloptimalisatie Analoog VLSI-ontwerp

✖Gate Oxide Thickness wordt gedefinieerd als de dikte van de isolatielaag (oxide) die de poortelektrode scheidt van het halfgeleidersubstraat in een MOSFET.ⓘ Poortoxidedikte [t_ox]			+10% -10%
✖De schaalfactor wordt gedefinieerd als de verhouding waarmee de afmetingen van de transistor tijdens het ontwerpproces worden gewijzigd.ⓘ Schaalfactor [Sf]			+10% -10%

✖Gate Oxide Thickness after Full Scaling wordt gedefinieerd als de nieuwe dikte van de oxidelaag na het verkleinen van de afmetingen van de transistor door het elektrisch veld constant te houden.ⓘ Gate-oxidedikte na volledige schaling VLSI [t_ox']

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Gate-oxidedikte na volledige schaling VLSI Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Gate-oxidedikte na volledige schaling = Poortoxidedikte/Schaalfactor
t_ox' = t_ox/Sf
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Gate-oxidedikte na volledige schaling - (Gemeten in Meter) - Gate Oxide Thickness after Full Scaling wordt gedefinieerd als de nieuwe dikte van de oxidelaag na het verkleinen van de afmetingen van de transistor door het elektrisch veld constant te houden.
Poortoxidedikte - (Gemeten in Meter) - Gate Oxide Thickness wordt gedefinieerd als de dikte van de isolatielaag (oxide) die de poortelektrode scheidt van het halfgeleidersubstraat in een MOSFET.
Schaalfactor - De schaalfactor wordt gedefinieerd als de verhouding waarmee de afmetingen van de transistor tijdens het ontwerpproces worden gewijzigd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Poortoxidedikte: 2 Nanometer --> 2E-09 Meter (Bekijk de conversie hier)
Schaalfactor: 1.5 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

t_ox' = t_ox/Sf --> 2E-09/1.5

Evalueren ... ...

t_ox' = 1.33333333333333E-09

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.33333333333333E-09 Meter -->1.33333333333333 Nanometer (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.33333333333333 ≈ 1.333333 Nanometer <-- Gate-oxidedikte na volledige schaling

(Berekening voltooid in 00.012 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » VLSI-materiaaloptimalisatie » Gate-oxidedikte na volledige schaling VLSI

Credits

Gemaakt door Prijanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College voor techniek (LDCE), Ahmedabad

Prijanka Patel heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Lichaamseffectcoëfficiënt

LaTeX Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))

DIBL-coëfficiënt

LaTeX Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel

Kanaallading

LaTeX Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Kritieke spanning

LaTeX Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Bekijk meer >>

Gate-oxidedikte na volledige schaling VLSI Formule

LaTeX Gaan

Gate-oxidedikte na volledige schaling = Poortoxidedikte/Schaalfactor
t_ox' = t_ox/Sf

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!