KGV rekenmachine

Gate-oxidecapaciteit Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

VLSI-fabricage Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

VLSI-materiaaloptimalisatie Analoog VLSI-ontwerp

✖Poortcapaciteit is de capaciteit van de poortaansluiting van een veldeffecttransistor.ⓘ Poortcapaciteit [C_g]			+10% -10%
✖Poortbreedte verwijst naar de afstand tussen de rand van een metalen poortelektrode en het aangrenzende halfgeleidermateriaal in een CMOS.ⓘ Poortbreedte [W_g]			+10% -10%
✖Poortlengte is de maat of omvang van iets van begin tot eind.ⓘ Poortlengte [L_g]			+10% -10%

✖De capaciteit van de poortoxidelaag wordt gedefinieerd als de capaciteit van de poortaansluiting van een veldeffecttransistor.ⓘ Gate-oxidecapaciteit [C_ox]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Gate-oxidecapaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Capaciteit van Gate Oxide Layer = Poortcapaciteit/(Poortbreedte*Poortlengte)
C_ox = C_g/(W_g*L_g)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Capaciteit van Gate Oxide Layer - (Gemeten in Farad per vierkante meter) - De capaciteit van de poortoxidelaag wordt gedefinieerd als de capaciteit van de poortaansluiting van een veldeffecttransistor.
Poortcapaciteit - (Gemeten in Farad) - Poortcapaciteit is de capaciteit van de poortaansluiting van een veldeffecttransistor.
Poortbreedte - (Gemeten in Meter) - Poortbreedte verwijst naar de afstand tussen de rand van een metalen poortelektrode en het aangrenzende halfgeleidermateriaal in een CMOS.
Poortlengte - (Gemeten in Meter) - Poortlengte is de maat of omvang van iets van begin tot eind.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Poortcapaciteit: 59.61 Microfarad --> 5.961E-05 Farad (Bekijk de conversie hier)
Poortbreedte: 0.285 Millimeter --> 0.000285 Meter (Bekijk de conversie hier)
Poortlengte: 7.01 Millimeter --> 0.00701 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_ox = C_g/(W_g*L_g) --> 5.961E-05/(0.000285*0.00701)

Evalueren ... ...

C_ox = 29.8370748554696

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

29.8370748554696 Farad per vierkante meter -->29.8370748554696 Microfarad per vierkante millimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

29.8370748554696 ≈ 29.83707 Microfarad per vierkante millimeter <-- Capaciteit van Gate Oxide Layer

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » VLSI-materiaaloptimalisatie » Gate-oxidecapaciteit

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Lichaamseffectcoëfficiënt

LaTeX Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))

DIBL-coëfficiënt

LaTeX Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel

Kanaallading

LaTeX Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Kritieke spanning

LaTeX Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Bekijk meer >>

Gate-oxidecapaciteit Formule

LaTeX Gaan

Capaciteit van Gate Oxide Layer = Poortcapaciteit/(Poortbreedte*Poortlengte)
C_ox = C_g/(W_g*L_g)

Wat zijn de werkgebieden in MOS-transistors?

MOS-transistors hebben drie werkgebieden. Ze zijn Cutoff of subthreshold region, Linear region en Saturation region.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!