Poortlengte met behulp van Gate Oxide-capaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Poortlengte = Poortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Poortbreedte)
Lg = Cg/(Cox*Wg)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen
Variabelen gebruikt
Poortlengte - (Gemeten in Meter) - Poortlengte is de maat of omvang van iets van begin tot eind.
Poortcapaciteit - (Gemeten in Farad) - Poortcapaciteit is de capaciteit van de poortaansluiting van een veldeffecttransistor.
Capaciteit van Gate Oxide Layer - (Gemeten in Farad per vierkante meter) - De capaciteit van de poortoxidelaag wordt gedefinieerd als de capaciteit van de poortaansluiting van een veldeffecttransistor.
Poortbreedte - (Gemeten in Meter) - Poortbreedte verwijst naar de afstand tussen de rand van een metalen poortelektrode en het aangrenzende halfgeleidermateriaal in een CMOS.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Poortcapaciteit: 59.61 Microfarad --> 5.961E-05 Farad (Bekijk de conversie ​hier)
Capaciteit van Gate Oxide Layer: 29.83 Microfarad per vierkante millimeter --> 29.83 Farad per vierkante meter (Bekijk de conversie ​hier)
Poortbreedte: 0.285 Millimeter --> 0.000285 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Lg = Cg/(Cox*Wg) --> 5.961E-05/(29.83*0.000285)
Evalueren ... ...
Lg = 0.00701166257917674
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.00701166257917674 Meter -->7.01166257917674 Millimeter (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
7.01166257917674 7.011663 Millimeter <-- Poortlengte
(Berekening voltooid in 00.022 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Lichaamseffectcoëfficiënt
​ LaTeX ​ Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))
DIBL-coëfficiënt
​ LaTeX ​ Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel
Kanaallading
​ LaTeX ​ Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)
Kritieke spanning
​ LaTeX ​ Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Poortlengte met behulp van Gate Oxide-capaciteit Formule

​LaTeX ​Gaan
Poortlengte = Poortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Poortbreedte)
Lg = Cg/(Cox*Wg)

Wat zijn toepassingen van Oxide Layer in VLSI?

De oxidelaag heeft belangrijke toepassingen in halfgeleiderapparaten. Het dient als poortisolator in MOS-transistoren, waardoor de elektronenstroom kan worden geregeld. Bovendien fungeert het als een elektrische isolatielaag tussen verschillende componenten en verbindingen, waardoor een betrouwbare en efficiënte werking van geïntegreerde schakelingen in toepassingen zoals microprocessors, geheugenapparaten en sensoren wordt gegarandeerd.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!