Fermi-potentieel voor P-type Rekenmachine

✖Absolute temperatuur is een maatstaf voor de thermische energie in een systeem en wordt gemeten in Kelvin.ⓘ Absolute temperatuur [T_a]			+10% -10%
✖Intrinsieke dragerconcentratie is een fundamentele eigenschap van halfgeleidermateriaal en vertegenwoordigt de concentratie van thermisch gegenereerde ladingsdragers bij afwezigheid van externe invloeden.ⓘ Intrinsieke dragerconcentratie [n_i]			+10% -10%
✖Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.ⓘ Dopingconcentratie van acceptor [N_A]			+10% -10%

✖Fermi Potential for P Type is het energieniveau dat de elektronen met de hoogste energie in de valentieband bij thermisch evenwicht vertegenwoordigt.ⓘ Fermi-potentieel voor P-type [Φ_Fp]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Fermi-potentieel voor P-type Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)
Φ_Fp = ([BoltZ]*T_a)/[Charge-e]*ln(n_i/N_A)
Deze formule gebruikt 2 Constanten, 1 Functies, 4 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
[BoltZ] - Boltzmann-constante Waarde genomen als 1.38064852E-23

Functies die worden gebruikt

ln - De natuurlijke logaritme, ook wel logaritme met grondtal e genoemd, is de inverse functie van de natuurlijke exponentiële functie., ln(Number)

Variabelen gebruikt

Fermi-potentieel voor P-type - (Gemeten in Volt) - Fermi Potential for P Type is het energieniveau dat de elektronen met de hoogste energie in de valentieband bij thermisch evenwicht vertegenwoordigt.
Absolute temperatuur - (Gemeten in Kelvin) - Absolute temperatuur is een maatstaf voor de thermische energie in een systeem en wordt gemeten in Kelvin.
Intrinsieke dragerconcentratie - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Intrinsieke dragerconcentratie is een fundamentele eigenschap van halfgeleidermateriaal en vertegenwoordigt de concentratie van thermisch gegenereerde ladingsdragers bij afwezigheid van externe invloeden.
Dopingconcentratie van acceptor - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Absolute temperatuur: 24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin Geen conversie vereist
Intrinsieke dragerconcentratie: 3000000 Elektronen per kubieke meter --> 3000000 Elektronen per kubieke meter Geen conversie vereist
Dopingconcentratie van acceptor: 1.32 Elektronen per kubieke centimeter --> 1320000 Elektronen per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

Φ_Fp = ([BoltZ]*T_a)/[Charge-e]*ln(n_i/N_A) --> ([BoltZ]*24.5)/[Charge-e]*ln(3000000/1320000)

Evalueren ... ...

Φ_Fp = 0.00173329185218156

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.00173329185218156 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.00173329185218156 ≈ 0.001733 Volt <-- Fermi-potentieel voor P-type

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » MOS-transistor » Fermi-potentieel voor P-type

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< MOS-transistor Rekenmachines

Equivalentiefactor voor zijwandspanning

LaTeX Gaan Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))

Fermi-potentieel voor P-type

LaTeX Gaan Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

LaTeX Gaan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

LaTeX Gaan Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand

Bekijk meer >>

Fermi-potentieel voor P-type Formule

LaTeX Gaan

Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)
Φ_Fp = ([BoltZ]*T_a)/[Charge-e]*ln(n_i/N_A)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!