Fermi-potentieel voor N-type Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Gezondheid Speelplaats Wiskunde

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Elektronica en instrumentatie Materiaal kunde Mechanisch Productie Engineering

⤿

MOSFET BJT

⤿

MOS-transistor Common Mode-afwijzingsratio (CMRR)Huidig Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Kleine signaalanalyse MOSFET-karakteristieken N-kanaalverbetering P Kanaalverbetering Spanning Transconductantie Versterkingsfactor of winst Vooringenomen Weerstand

✖Absolute temperatuur is een maatstaf voor de thermische energie in een systeem en wordt gemeten in Kelvin.ⓘ Absolute temperatuur [T_a]			+10% -10%
✖Donordoteringsconcentratie is de concentratie van donoratomen per volume-eenheid.ⓘ Concentratie van donordoteringsmiddelen [N_d]			+10% -10%
✖Intrinsieke dragerconcentratie is een fundamentele eigenschap van halfgeleidermateriaal en vertegenwoordigt de concentratie van thermisch gegenereerde ladingsdragers bij afwezigheid van externe invloeden.ⓘ Intrinsieke dragerconcentratie [n_i]			+10% -10%

✖Fermi Potential for N Type is een sleutelparameter die het energieniveau beschrijft waarbij de kans op het vinden van een elektron 0,5 is.ⓘ Fermi-potentieel voor N-type [Φ_Fn]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Fermi-potentieel voor N-type

Formule

Φ Fn = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{N d}{n i})

Voorbeeld

0.081443 V = \frac{[BoltZ] \cdot 24.5 K}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{1.7E+23 electrons/m³}{3000000 electrons/m³})

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Fermi-potentieel voor N-type Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Fermi-potentieel voor N-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Concentratie van donordoteringsmiddelen/Intrinsieke dragerconcentratie)
Φ_Fn = ([BoltZ]*T_a)/[Charge-e]*ln(N_d/n_i)
Deze formule gebruikt 2 Constanten, 1 Functies, 4 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
[BoltZ] - Boltzmann-constante Waarde genomen als 1.38064852E-23

Functies die worden gebruikt

ln - De natuurlijke logaritme, ook bekend als de logaritme met grondtal e, is de inverse functie van de natuurlijke exponentiële functie., ln(Number)

Variabelen gebruikt

Fermi-potentieel voor N-type - (Gemeten in Volt) - Fermi Potential for N Type is een sleutelparameter die het energieniveau beschrijft waarbij de kans op het vinden van een elektron 0,5 is.
Absolute temperatuur - (Gemeten in Kelvin) - Absolute temperatuur is een maatstaf voor de thermische energie in een systeem en wordt gemeten in Kelvin.
Concentratie van donordoteringsmiddelen - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Donordoteringsconcentratie is de concentratie van donoratomen per volume-eenheid.
Intrinsieke dragerconcentratie - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Intrinsieke dragerconcentratie is een fundamentele eigenschap van halfgeleidermateriaal en vertegenwoordigt de concentratie van thermisch gegenereerde ladingsdragers bij afwezigheid van externe invloeden.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Absolute temperatuur: 24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin Geen conversie vereist
Concentratie van donordoteringsmiddelen: 1.7E+23 Elektronen per kubieke meter --> 1.7E+23 Elektronen per kubieke meter Geen conversie vereist
Intrinsieke dragerconcentratie: 3000000 Elektronen per kubieke meter --> 3000000 Elektronen per kubieke meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

Φ_Fn = ([BoltZ]*T_a)/[Charge-e]*ln(N_d/n_i) --> ([BoltZ]*24.5)/[Charge-e]*ln(1.7E+23/3000000)

Evalueren ... ...

Φ_Fn = 0.081443344057026

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.081443344057026 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.081443344057026 ≈ 0.081443 Volt <-- Fermi-potentieel voor N-type

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » MOS-transistor » Fermi-potentieel voor N-type

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 5 MOS-transistor Rekenmachines

Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Gaan Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))

Fermi-potentieel voor N-type

Gaan Fermi-potentieel voor N-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Concentratie van donordoteringsmiddelen/Intrinsieke dragerconcentratie)

Fermi-potentieel voor P-type

Gaan Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

Gaan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

Gaan Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand

Fermi-potentieel voor N-type Formule

Fermi-potentieel voor N-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Concentratie van donordoteringsmiddelen/Intrinsieke dragerconcentratie)
Φ_Fn = ([BoltZ]*T_a)/[Charge-e]*ln(N_d/n_i)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!