Rekenmachines A tot Z
🔍
Downloaden PDF
Chemie
Engineering
Financieel
Gezondheid
Wiskunde
Fysica
Percentage fout
Aftrekken fractie
KGV van drie getallen
Equivalente oxidedikte Rekenmachine
Engineering
Chemie
Financieel
Fysica
Gezondheid
Speelplaats
Wiskunde
↳
Elektronica
Chemische technologie
Civiel
Elektrisch
Elektronica en instrumentatie
Materiaal kunde
Mechanisch
Productie Engineering
⤿
Geïntegreerde schakelingen (IC)
Analoge communicatie
Analoge elektronica
Antenne
CMOS-ontwerp en toepassingen
Controle systeem
Digitale beeldverwerking
Digitale communicatie
Draadloze communicatie
EDC
Elektromagnetische veldtheorie
Glasvezeltransmissie
Informatietheorie en codering
Ingebouwd systeem
Magnetron theorie
Ontwerp van optische vezels
Opto-elektronica-apparaten
Radarsysteem
RF-micro-elektronica
Satellietcommunicatie
Schakelsystemen voor telecommunicatie
Signaal en systemen
Solid State-apparaten
Televisie techniek
Transmissielijn en antenne
Vermogenselektronica
Versterkers
VLSI-fabricage
⤿
MOS IC-fabricage
Bipolaire IC-fabricage
Schmitt trigger
✖
Materiaaldikte is de dikte van het gegeven materiaal. Het verwijst naar de fysieke afmeting van een object, gemeten loodrecht op het oppervlak.
ⓘ
Dikte van materiaal [t
high-k
]
Aln
Angstrom
Arpent
astronomische eenheid
Attometer
AU van lengte
barleycorn
Miljard lichtjaar
Bohr Radius
Kabel (internationaal)
Cable (Verenigd Koningkrijk)
Cable (Verenigde Staten)
Kaliber
Centimeter
Keten
Cubit (Grieks)
El (lang)
Cubit (Verenigd Koningkrijk)
Decameter
decimeter
Afstand van de aarde tot de maan
Afstand van de aarde tot de zon
Equatoriale straal aarde
Polaire straal aarde
Elektron Radius (Klassiek)
Ell
examinator
Famn
Doorgronden
femtometer
fermi
Finger (Doek)
Vingerbreedte
Voet
Voet (Verenigde Staten schouwing)
Furlong
Gigameter
Hand
handbreedte
Hectometer
duim
gezichtskring
Kilometer
Kiloparsec
Kiloyard
Liga
Liga (Statuut)
Lichtjaar
Link
Megameter
Megaparsec
Meter
Microinch
Micrometer
Micron
Mil
Mijl
Mijl (Romeins)
Mijl (Verenigde Staten schouwing)
Millimeter
Miljoen Lichtjaar
Spijker (Doek)
Nanometer
Nautische Liga (int)
Nautical League VK
Nautical Mijl (International)
Nautical Mijl (Verenigd Koningkrijk)
parsec
Baars
Petameter
Pica
picometer
Plancklengte
Punt
Pole
Kwartaal
Reed
Riet (Lang)
hengel
Roman Actus
Touw
Russische Archin
Span (Doek)
Zonnestraal
Temperatuurmeter
Twip
Vara Castellana
Vara Conuquera
Vara De Tarea
Yard
Yoctometer
Yottameter
Zeptometer
Zettameter
+10%
-10%
✖
De diëlektrische materiaalconstante is een maatstaf voor het vermogen van een materiaal om elektrische energie in een elektrisch veld op te slaan.
ⓘ
Diëlektrische materiaalconstante [k
high-k
]
+10%
-10%
✖
Equivalente oxidedikte is een maatstaf die in de halfgeleidertechnologie wordt gebruikt om de isolerende eigenschappen van een poortdiëlektricum in een metaaloxide-halfgeleider (MOS) -apparaat te karakteriseren.
ⓘ
Equivalente oxidedikte [EOT]
Aln
Angstrom
Arpent
astronomische eenheid
Attometer
AU van lengte
barleycorn
Miljard lichtjaar
Bohr Radius
Kabel (internationaal)
Cable (Verenigd Koningkrijk)
Cable (Verenigde Staten)
Kaliber
Centimeter
Keten
Cubit (Grieks)
El (lang)
Cubit (Verenigd Koningkrijk)
Decameter
decimeter
Afstand van de aarde tot de maan
Afstand van de aarde tot de zon
Equatoriale straal aarde
Polaire straal aarde
Elektron Radius (Klassiek)
Ell
examinator
Famn
Doorgronden
femtometer
fermi
Finger (Doek)
Vingerbreedte
Voet
Voet (Verenigde Staten schouwing)
Furlong
Gigameter
Hand
handbreedte
Hectometer
duim
gezichtskring
Kilometer
Kiloparsec
Kiloyard
Liga
Liga (Statuut)
Lichtjaar
Link
Megameter
Megaparsec
Meter
Microinch
Micrometer
Micron
Mil
Mijl
Mijl (Romeins)
Mijl (Verenigde Staten schouwing)
Millimeter
Miljoen Lichtjaar
Spijker (Doek)
Nanometer
Nautische Liga (int)
Nautical League VK
Nautical Mijl (International)
Nautical Mijl (Verenigd Koningkrijk)
parsec
Baars
Petameter
Pica
picometer
Plancklengte
Punt
Pole
Kwartaal
Reed
Riet (Lang)
hengel
Roman Actus
Touw
Russische Archin
Span (Doek)
Zonnestraal
Temperatuurmeter
Twip
Vara Castellana
Vara Conuquera
Vara De Tarea
Yard
Yoctometer
Yottameter
Zeptometer
Zettameter
⎘ Kopiëren
Stappen
👎
Formule
✖
Equivalente oxidedikte
Formule
`"EOT" = "t"_{"high-k"}*(3.9/"k"_{"high-k"})`
Voorbeeld
`"14.66814nm"="8.5nm"*(3.9/"2.26")`
Rekenmachine
LaTeX
Reset
👍
Downloaden MOS IC-fabricage Formules Pdf
Equivalente oxidedikte Oplossing
STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Equivalente oxidedikte
=
Dikte van materiaal
*(3.9/
Diëlektrische materiaalconstante
)
EOT
=
t
high-k
*(3.9/
k
high-k
)
Deze formule gebruikt
3
Variabelen
Variabelen gebruikt
Equivalente oxidedikte
-
(Gemeten in Meter)
- Equivalente oxidedikte is een maatstaf die in de halfgeleidertechnologie wordt gebruikt om de isolerende eigenschappen van een poortdiëlektricum in een metaaloxide-halfgeleider (MOS) -apparaat te karakteriseren.
Dikte van materiaal
-
(Gemeten in Meter)
- Materiaaldikte is de dikte van het gegeven materiaal. Het verwijst naar de fysieke afmeting van een object, gemeten loodrecht op het oppervlak.
Diëlektrische materiaalconstante
- De diëlektrische materiaalconstante is een maatstaf voor het vermogen van een materiaal om elektrische energie in een elektrisch veld op te slaan.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Dikte van materiaal:
8.5 Nanometer --> 8.5E-09 Meter
(Bekijk de conversie
hier
)
Diëlektrische materiaalconstante:
2.26 --> Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
EOT = t
high-k
*(3.9/k
high-k
) -->
8.5E-09*(3.9/2.26)
Evalueren ... ...
EOT
= 1.46681415929204E-08
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
1.46681415929204E-08 Meter -->14.6681415929204 Nanometer
(Bekijk de conversie
hier
)
DEFINITIEVE ANTWOORD
14.6681415929204
≈
14.66814 Nanometer
<--
Equivalente oxidedikte
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)
Je bevindt je hier
-
Huis
»
Engineering
»
Elektronica
»
Geïntegreerde schakelingen (IC)
»
MOS IC-fabricage
»
Equivalente oxidedikte
Credits
Gemaakt door
banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door
Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!
<
15 MOS IC-fabricage Rekenmachines
Schakelpuntspanning
Gaan
Schakelpuntspanning
= (
Voedingsspanning
+
PMOS-drempelspanning
+
NMOS-drempelspanning
*
sqrt
(
NMOS-transistorversterking
/
PMOS-transistorversterking
))/(1+
sqrt
(
NMOS-transistorversterking
/
PMOS-transistorversterking
))
Lichaamseffect in MOSFET
Gaan
Drempelspanning met substraat
=
Drempelspanning zonder lichaamsafwijking
+
Lichaamseffectparameter
*(
sqrt
(2*
Bulk Fermi-potentieel
+
Spanning toegepast op lichaam
)-
sqrt
(2*
Bulk Fermi-potentieel
))
Concentratie van donordoteringsmiddelen
Gaan
Concentratie van donordoteringsmiddelen
= (
Verzadigingsstroom
*
Lengte van de transistor
)/(
[Charge-e]
*
Transistorbreedte
*
Elektronenmobiliteit
*
Capaciteit van de uitputtingslaag
)
Concentratie van acceptordoteringsmiddel
Gaan
Concentratie van acceptordoteringsmiddel
= 1/(2*
pi
*
Lengte van de transistor
*
Transistorbreedte
*
[Charge-e]
*
Gatenmobiliteit
*
Capaciteit van de uitputtingslaag
)
Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied
Gaan
Afvoerstroom
=
Transconductantieparameter
/2*(
Poortbronspanning
-
Drempelspanning zonder lichaamsafwijking
)^2*(1+
Modulatiefactor kanaallengte
*
Afvoerbronspanning
)
Maximale doteringsconcentratie
Gaan
Maximale doteringsconcentratie
=
Referentieconcentratie
*
exp
(-
Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen
/(
[BoltZ]
*
Absolute temperatuur
))
Driftstroomdichtheid als gevolg van vrije elektronen
Gaan
Driftstroomdichtheid als gevolg van elektronen
=
[Charge-e]
*
Elektronenconcentratie
*
Elektronenmobiliteit
*
Elektrische veldintensiteit
Voortplantingstijd
Gaan
Voortplantingstijd
= 0.7*
Aantal doorlaattransistoren
*((
Aantal doorlaattransistoren
+1)/2)*
Weerstand in MOSFET
*
Belastingscapaciteit
Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten
Gaan
Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten
=
[Charge-e]
*
Gatenconcentratie
*
Gatenmobiliteit
*
Elektrische veldintensiteit
Kanaal weerstand
Gaan
Kanaal weerstand
=
Lengte van de transistor
/
Transistorbreedte
*1/(
Elektronenmobiliteit
*
Dragerdichtheid
)
MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie
Gaan
Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET
=
Transconductantie in MOSFET
/(
Gate-broncapaciteit
+
Poortafvoercapaciteit
)
Kritische dimensie
Gaan
Kritische dimensie
=
Procesafhankelijke constante
*
Golflengte in fotolithografie
/
Numeriek diafragma
Diepte van focus
Gaan
Diepte van focus
=
Evenredigheidsfactor
*
Golflengte in fotolithografie
/(
Numeriek diafragma
^2)
Sterf per wafel
Gaan
Sterf per wafel
= (
pi
*
Diameter wafeltje
^2)/(4*
Grootte van elke matrijs
)
Equivalente oxidedikte
Gaan
Equivalente oxidedikte
=
Dikte van materiaal
*(3.9/
Diëlektrische materiaalconstante
)
Equivalente oxidedikte Formule
Equivalente oxidedikte
=
Dikte van materiaal
*(3.9/
Diëlektrische materiaalconstante
)
EOT
=
t
high-k
*(3.9/
k
high-k
)
Huis
VRIJ PDF's
🔍
Zoeken
Categorieën
Delen
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!