Efficiëntie van de emitterinjectie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Efficiëntie van de emitterinjectie = Zenderstroom/(Emitterstroom door elektronen+Emitterstroom door gaten)
γ = IE/(IEe+IEh)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen
Variabelen gebruikt
Efficiëntie van de emitterinjectie - Emitter-injectie-efficiëntie is de verhouding tussen de elektronenstroom die in de emitter vloeit en de totale stroom over de basisovergang van de emitter.
Zenderstroom - (Gemeten in Ampère) - Emitterstroom verwijst naar de stroom die vloeit tussen de emitter- en basisterminals van de transistor wanneer deze in bedrijf is.
Emitterstroom door elektronen - (Gemeten in Ampère) - Emitterstroom als gevolg van elektronen is de maximaal mogelijke stroom van meerderheidsdraaggolven die in de emitter stromen.
Emitterstroom door gaten - (Gemeten in Ampère) - Emitterstroom als gevolg van gaten is de maximaal mogelijke stroom van minderheidsdragers die in de basis wordt geïnjecteerd.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Zenderstroom: 0.008 Ampère --> 0.008 Ampère Geen conversie vereist
Emitterstroom door elektronen: 0.005 Ampère --> 0.005 Ampère Geen conversie vereist
Emitterstroom door gaten: 0.006 Ampère --> 0.006 Ampère Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
γ = IE/(IEe+IEh) --> 0.008/(0.005+0.006)
Evalueren ... ...
γ = 0.727272727272727
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.727272727272727 --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
0.727272727272727 0.727273 <-- Efficiëntie van de emitterinjectie
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore
banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Geleidbaarheid van N-type
​ LaTeX ​ Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))
Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid
​ LaTeX ​ Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)
Onzuiverheid met intrinsieke concentratie
​ LaTeX ​ Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)
Doorbraakspanning van collector-emitter
​ LaTeX ​ Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Efficiëntie van de emitterinjectie Formule

​LaTeX ​Gaan
Efficiëntie van de emitterinjectie = Zenderstroom/(Emitterstroom door elektronen+Emitterstroom door gaten)
γ = IE/(IEe+IEh)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!