Effectieve toestandsdichtheid in geleidingsband Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Effectieve dichtheid van staten = 2*(2*pi*Effectieve massa van elektronen*[BoltZ]*Absolute temperatuur/[hP]^2)^(3/2)
Neff = 2*(2*pi*meff*[BoltZ]*T/[hP]^2)^(3/2)
Deze formule gebruikt 3 Constanten, 3 Variabelen
Gebruikte constanten
[BoltZ] - Boltzmann-constante Waarde genomen als 1.38064852E-23
[hP] - Planck-constante Waarde genomen als 6.626070040E-34
pi - De constante van Archimedes Waarde genomen als 3.14159265358979323846264338327950288
Variabelen gebruikt
Effectieve dichtheid van staten - Effectieve toestandsdichtheid verwijst naar de dichtheid van beschikbare elektronentoestanden per volume-eenheid binnen de energiebandstructuur van een materiaal.
Effectieve massa van elektronen - (Gemeten in Kilogram) - Effectieve massa van elektronen is een concept dat in de vastestoffysica wordt gebruikt om het gedrag van elektronen in een kristalrooster of halfgeleidermateriaal te beschrijven.
Absolute temperatuur - (Gemeten in Kelvin) - Absolute temperatuur vertegenwoordigt de temperatuur van het systeem.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Effectieve massa van elektronen: 2E-31 Kilogram --> 2E-31 Kilogram Geen conversie vereist
Absolute temperatuur: 393 Kelvin --> 393 Kelvin Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Neff = 2*(2*pi*meff*[BoltZ]*T/[hP]^2)^(3/2) --> 2*(2*pi*2E-31*[BoltZ]*393/[hP]^2)^(3/2)
Evalueren ... ...
Neff = 3.87070655661186E+24
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
3.87070655661186E+24 --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
3.87070655661186E+24 3.9E+24 <-- Effectieve dichtheid van staten
(Berekening voltooid in 00.008 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Priyanka G Chalikar
Het Nationaal Instituut voor Techniek (NIE), Mysuru
Priyanka G Chalikar heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 10+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

Apparaten met optische componenten Rekenmachines

Stroom door optisch gegenereerde draaggolf
​ LaTeX ​ Gaan Optische stroom = Aanval*PN-verbindingsgebied*Optische generatiesnelheid*(Overgangsbreedte+Verspreidingslengte van het overgangsgebied+Lengte van P-zijverbinding)
Brewsters hoek
​ LaTeX ​ Gaan Brewsters Hoek = arctan(Brekingsindex van medium 1/Brekingsindex)
Rotatiehoek van het polarisatievlak
​ LaTeX ​ Gaan Hoek van rotatie = 1.8*Magnetische fluxdichtheid*Lengte van gemiddeld
Apex-hoek
​ LaTeX ​ Gaan Tophoek = tan(Alfa)

Effectieve toestandsdichtheid in geleidingsband Formule

​LaTeX ​Gaan
Effectieve dichtheid van staten = 2*(2*pi*Effectieve massa van elektronen*[BoltZ]*Absolute temperatuur/[hP]^2)^(3/2)
Neff = 2*(2*pi*meff*[BoltZ]*T/[hP]^2)^(3/2)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!