KGV rekenmachine

Effectieve staatsdichtheid Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Solid State-apparaten Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

Energieband en ladingdrager Elektronen en gaten Halfgeleider dragers SSD-knooppunt

✖Elektronenconcentratie in geleidingsband verwijst naar de hoeveelheid of overvloed aan vrije elektronen die beschikbaar zijn voor geleiding in de geleidingsband van een halfgeleidermateriaal.ⓘ Elektronenconcentratie in geleidingsband [n₀]			+10% -10%
✖Fermi-functie wordt gedefinieerd als een term die wordt gebruikt om de top van de verzameling elektronenenergieniveaus bij absolute nultemperatuur te beschrijven.ⓘ Fermi-functie [f_E]			+10% -10%

✖Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband wordt gedefinieerd als het aantal equivalente energieminima in de geleidingsband.ⓘ Effectieve staatsdichtheid [N_c]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Effectieve staatsdichtheid

Formule

N c = \frac{n 0}{f E}

Voorbeeld

6.4E+8 /m³ = \frac{1.4e7 /m³}{0.022}

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Energieband en ladingdrager Formules Pdf PDF Image

Effectieve staatsdichtheid Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Fermi-functie
N_c = n₀/f_E
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband wordt gedefinieerd als het aantal equivalente energieminima in de geleidingsband.
Elektronenconcentratie in geleidingsband - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Elektronenconcentratie in geleidingsband verwijst naar de hoeveelheid of overvloed aan vrije elektronen die beschikbaar zijn voor geleiding in de geleidingsband van een halfgeleidermateriaal.
Fermi-functie - Fermi-functie wordt gedefinieerd als een term die wordt gebruikt om de top van de verzameling elektronenenergieniveaus bij absolute nultemperatuur te beschrijven.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Elektronenconcentratie in geleidingsband: 14000000 1 per kubieke meter --> 14000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Fermi-functie: 0.022 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

N_c = n₀/f_E --> 14000000/0.022

Evalueren ... ...

N_c = 636363636.363636

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

636363636.363636 1 per kubieke meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

636363636.363636 ≈ 6.4E+8 1 per kubieke meter <-- Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » Energieband en ladingdrager » Effectieve staatsdichtheid

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< Energieband en ladingdrager Rekenmachines

Energie van Electron gegeven Coulomb's Constante

Gaan Energie van Electron = (Kwantum nummer^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Potentiële putlengte^2)

Constante elektronenconcentratie

Gaan Steady State Carrier-concentratie = Elektronenconcentratie in geleidingsband+Overmatige dragerconcentratie

Valentieband energie

Gaan Valentieband energie = Geleidingsband energie-Energie kloof

Energiekloof

Gaan Energie kloof = Geleidingsband energie-Valentieband energie

Bekijk meer >>

Effectieve staatsdichtheid Formule

Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Fermi-functie
N_c = n₀/f_E

Wat is effectieve massadichtheid?

Het wordt gebruikt om het oorspronkelijke massa-in-massa-roostersysteem weer te geven, de effectieve massadichtheid. wordt frequentieafhankelijk en kan negatief worden voor frequenties nabij de resonantiefrequentie van de interne massa. Als daarentegen een microstructuur met meerdere verplaatsingen.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!