KGV rekenmachine

Effectieve dichtheidstoestand in valentieband Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Solid State-apparaten Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

Energieband en ladingdrager Elektronen en gaten Halfgeleider dragers SSD-knooppunt

✖Gatenconcentratie in Valance Band verwijst naar de hoeveelheid of overvloed aan gaten in de valentieband van een halfgeleidermateriaal.ⓘ Gaten Concentratie in Valance Band [p₀]			+10% -10%
✖Fermi-functie wordt gedefinieerd als een term die wordt gebruikt om de top van de verzameling elektronenenergieniveaus bij absolute nultemperatuur te beschrijven.ⓘ Fermi-functie [f_E]			+10% -10%

✖Effectieve staatsdichtheid in valentieband wordt gedefinieerd als de band van elektronenorbitalen waar elektronen uit kunnen springen en bij opwinding in de geleidingsband terechtkomen.ⓘ Effectieve dichtheidstoestand in valentieband [N_v]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Energieband en ladingdrager Formules Pdf PDF Image

Effectieve dichtheidstoestand in valentieband Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Effectieve staatsdichtheid in valentieband = Gaten Concentratie in Valance Band/(1-Fermi-functie)
N_v = p₀/(1-f_E)
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Effectieve staatsdichtheid in valentieband - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Effectieve staatsdichtheid in valentieband wordt gedefinieerd als de band van elektronenorbitalen waar elektronen uit kunnen springen en bij opwinding in de geleidingsband terechtkomen.
Gaten Concentratie in Valance Band - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Gatenconcentratie in Valance Band verwijst naar de hoeveelheid of overvloed aan gaten in de valentieband van een halfgeleidermateriaal.
Fermi-functie - Fermi-functie wordt gedefinieerd als een term die wordt gebruikt om de top van de verzameling elektronenenergieniveaus bij absolute nultemperatuur te beschrijven.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Gaten Concentratie in Valance Band: 230000000000 1 per kubieke meter --> 230000000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Fermi-functie: 0.022 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

N_v = p₀/(1-f_E) --> 230000000000/(1-0.022)

Evalueren ... ...

N_v = 235173824130.879

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

235173824130.879 1 per kubieke meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

235173824130.879 ≈ 2.4E+11 1 per kubieke meter <-- Effectieve staatsdichtheid in valentieband

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » Energieband en ladingdrager » Effectieve dichtheidstoestand in valentieband

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< Energieband en ladingdrager Rekenmachines

Energie van Electron gegeven Coulomb's Constante

LaTeX Gaan Energie van Electron = (Kwantum nummer^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Potentiële putlengte^2)

Constante elektronenconcentratie

LaTeX Gaan Steady State Carrier-concentratie = Elektronenconcentratie in geleidingsband+Overmatige dragerconcentratie

Valentieband energie

LaTeX Gaan Valentieband energie = Geleidingsband energie-Energie kloof

Energiekloof

LaTeX Gaan Energie kloof = Geleidingsband energie-Valentieband energie

Bekijk meer >>

< Halfgeleider dragers Rekenmachines

Distributiecoëfficiënt

LaTeX Gaan Verdelingscoëfficiënt = Onzuiverheidsconcentratie in vaste stof/Onzuiverheidsconcentratie in vloeistof

Fermi-functie

LaTeX Gaan Fermi-functie = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband

Foto-elektronen energie

LaTeX Gaan Foto-elektronen energie = [hP]*Frequentie van invallend licht

Geleidingsband energie

LaTeX Gaan Geleidingsband energie = Energie kloof+Valentieband energie

Bekijk meer >>

Effectieve dichtheidstoestand in valentieband Formule

LaTeX Gaan

Effectieve staatsdichtheid in valentieband = Gaten Concentratie in Valance Band/(1-Fermi-functie)
N_v = p₀/(1-f_E)

Hoe bepaal je de effectieve toestandsdichtheid in de geleidingsband?

De effectieve toestandsdichtheid is temperatuurafhankelijk en kan worden verkregen uit: Nc(T) = Nc(300K) (T/300) 3/2 waarbij Nc(300K) de effectieve toestandsdichtheid bij 300K is

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!