Driftstroomdichtheid als gevolg van vrije elektronen Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Gezondheid Speelplaats Wiskunde

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Elektronica en instrumentatie Materiaal kunde Mechanisch Productie Engineering

⤿

MOS IC-fabricage Bipolaire IC-fabricage Schmitt trigger

✖Elektronenconcentratie verwijst naar het aantal elektronen per volume-eenheid in een materiaal.ⓘ Elektronenconcentratie [n]			+10% -10%
✖Elektronenmobiliteit beschrijft hoe snel elektronen door het materiaal kunnen bewegen als reactie op een elektrisch veld.ⓘ Elektronenmobiliteit [μ_n]			+10% -10%
✖De elektrische veldintensiteit is een vectorgrootheid die de kracht vertegenwoordigt die wordt ervaren door een positieve testlading op een bepaald punt in de ruimte als gevolg van de aanwezigheid van andere ladingen.ⓘ Elektrische veldintensiteit [E_i]			+10% -10%

✖Driftstroomdichtheid als gevolg van elektronen verwijst naar de beweging van ladingsdragers (elektronen) in een halfgeleidermateriaal onder invloed van een elektrisch veld.ⓘ Driftstroomdichtheid als gevolg van vrije elektronen [J_n]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Driftstroomdichtheid als gevolg van vrije elektronen

Formule

J n = [Charge-e] \cdot n \cdot μ n \cdot E i

Voorbeeld

53.83313 µA = [Charge-e] \cdot 1E+6 electrons/cm³ \cdot 30 m²/V*s \cdot 11.2 V/m

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOS IC-fabricage Formules Pdf PDF Image

Driftstroomdichtheid als gevolg van vrije elektronen Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Driftstroomdichtheid als gevolg van elektronen = [Charge-e]*Elektronenconcentratie*Elektronenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit
J_n = [Charge-e]*n*μ_n*E_i
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 4 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Variabelen gebruikt

Driftstroomdichtheid als gevolg van elektronen - (Gemeten in Ampère) - Driftstroomdichtheid als gevolg van elektronen verwijst naar de beweging van ladingsdragers (elektronen) in een halfgeleidermateriaal onder invloed van een elektrisch veld.
Elektronenconcentratie - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Elektronenconcentratie verwijst naar het aantal elektronen per volume-eenheid in een materiaal.
Elektronenmobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Elektronenmobiliteit beschrijft hoe snel elektronen door het materiaal kunnen bewegen als reactie op een elektrisch veld.
Elektrische veldintensiteit - (Gemeten in Volt per meter) - De elektrische veldintensiteit is een vectorgrootheid die de kracht vertegenwoordigt die wordt ervaren door een positieve testlading op een bepaald punt in de ruimte als gevolg van de aanwezigheid van andere ladingen.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Elektronenconcentratie: 1000000 Elektronen per kubieke centimeter --> 1000000000000 Elektronen per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Elektronenmobiliteit: 30 Vierkante meter per volt per seconde --> 30 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Elektrische veldintensiteit: 11.2 Volt per meter --> 11.2 Volt per meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

J_n = [Charge-e]*n*μ_n*E_i --> [Charge-e]*1000000000000*30*11.2

Evalueren ... ...

J_n = 5.3833134432E-05

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

5.3833134432E-05 Ampère -->53.833134432 Microampère (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

53.833134432 ≈ 53.83313 Microampère <-- Driftstroomdichtheid als gevolg van elektronen

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » MOS IC-fabricage » Driftstroomdichtheid als gevolg van vrije elektronen

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 5 MOS IC-fabricage Rekenmachines

Lichaamseffect in MOSFET

Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied

Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)

Voortplantingstijd

Gaan Voortplantingstijd = 0.7*Aantal doorlaattransistoren*((Aantal doorlaattransistoren+1)/2)*Weerstand in MOSFET*Belastingscapaciteit

Kanaal weerstand

Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)

MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie

Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Driftstroomdichtheid als gevolg van vrije elektronen Formule

Driftstroomdichtheid als gevolg van elektronen = [Charge-e]*Elektronenconcentratie*Elektronenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit
J_n = [Charge-e]*n*μ_n*E_i

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!