KGV rekenmachine

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Geïntegreerde schakelingen (IC)Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

MOS IC-fabricage Bipolaire IC-fabricage Schmitt trigger

✖Gatenconcentratie verwijst naar het aantal elektronen per volume-eenheid in een materiaal.ⓘ Gatenconcentratie [p]			+10% -10%
✖Hole Mobility vertegenwoordigt het vermogen van deze ladingsdragers om te bewegen als reactie op een elektrisch veld.ⓘ Gatenmobiliteit [μ_p]			+10% -10%
✖De elektrische veldintensiteit is een vectorgrootheid die de kracht vertegenwoordigt die wordt ervaren door een positieve testlading op een bepaald punt in de ruimte als gevolg van de aanwezigheid van andere ladingen.ⓘ Elektrische veldintensiteit [E_i]			+10% -10%

✖Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten verwijst naar de beweging van ladingsdragers (gaten) in een halfgeleidermateriaal onder invloed van een elektrisch veld.ⓘ Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten [J_p]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOS IC-fabricage Formules Pdf PDF Image

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten = [Charge-e]*Gatenconcentratie*Gatenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit
J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 4 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Variabelen gebruikt

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten - (Gemeten in Ampère per vierkante meter) - Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten verwijst naar de beweging van ladingsdragers (gaten) in een halfgeleidermateriaal onder invloed van een elektrisch veld.
Gatenconcentratie - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Gatenconcentratie verwijst naar het aantal elektronen per volume-eenheid in een materiaal.
Gatenmobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Hole Mobility vertegenwoordigt het vermogen van deze ladingsdragers om te bewegen als reactie op een elektrisch veld.
Elektrische veldintensiteit - (Gemeten in Volt per meter) - De elektrische veldintensiteit is een vectorgrootheid die de kracht vertegenwoordigt die wordt ervaren door een positieve testlading op een bepaald punt in de ruimte als gevolg van de aanwezigheid van andere ladingen.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Gatenconcentratie: 1E+20 Elektronen per kubieke meter --> 1E+20 Elektronen per kubieke meter Geen conversie vereist
Gatenmobiliteit: 400 Vierkante meter per volt per seconde --> 400 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Elektrische veldintensiteit: 11.2 Volt per meter --> 11.2 Volt per meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i --> [Charge-e]*1E+20*400*11.2

Evalueren ... ...

J_p = 71777.512576

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

71777.512576 Ampère per vierkante meter -->0.071777512576 Ampère per vierkante millimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.071777512576 ≈ 0.071778 Ampère per vierkante millimeter <-- Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » MOS IC-fabricage » Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< MOS IC-fabricage Rekenmachines

Lichaamseffect in MOSFET

LaTeX Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied

LaTeX Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)

Kanaal weerstand

LaTeX Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)

MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie

LaTeX Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Bekijk meer >>