Afvoerverzadigingsstroom van MOSFET Rekenmachine

✖Procestransconductantie in PMOS verwijst naar de versterking van een PMOS-transistor ten opzichte van zijn gate-source-spanning.ⓘ Procestransconductantie in PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖Kanaalbreedte verwijst naar het frequentiebereik dat wordt gebruikt voor het verzenden van gegevens via een draadloos communicatiekanaal. Het wordt ook wel bandbreedte genoemd en wordt gemeten in hertz (Hz).ⓘ Kanaalbreedte [W_c]			+10% -10%
✖Kanaallengte verwijst naar de afstand tussen de source- en drain-terminals in een veldeffecttransistor (FET).ⓘ Kanaallengte [L]			+10% -10%
✖De effectieve spanning in een MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) is de spanning die het gedrag van het apparaat bepaalt. Het is ook bekend als de poortbronspanning.ⓘ Effectieve spanning [V_eff]			+10% -10%

✖Verzadigingsafvoerstroom is een belangrijke parameter in het ontwerpⓘ Afvoerverzadigingsstroom van MOSFET [I_d(sat)]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Afvoerverzadigingsstroom van MOSFET Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantie in PMOS*Kanaalbreedte/Kanaallengte*(Effectieve spanning)^2
I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Verzadigingsafvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Verzadigingsafvoerstroom is een belangrijke parameter in het ontwerp
Procestransconductantie in PMOS - (Gemeten in Siemens) - Procestransconductantie in PMOS verwijst naar de versterking van een PMOS-transistor ten opzichte van zijn gate-source-spanning.
Kanaalbreedte - (Gemeten in Meter) - Kanaalbreedte verwijst naar het frequentiebereik dat wordt gebruikt voor het verzenden van gegevens via een draadloos communicatiekanaal. Het wordt ook wel bandbreedte genoemd en wordt gemeten in hertz (Hz).
Kanaallengte - (Gemeten in Meter) - Kanaallengte verwijst naar de afstand tussen de source- en drain-terminals in een veldeffecttransistor (FET).
Effectieve spanning - (Gemeten in Volt) - De effectieve spanning in een MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) is de spanning die het gedrag van het apparaat bepaalt. Het is ook bekend als de poortbronspanning.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Procestransconductantie in PMOS: 0.58 Millisiemens --> 0.00058 Siemens (Bekijk de conversie hier)
Kanaalbreedte: 10 Micrometer --> 1E-05 Meter (Bekijk de conversie hier)
Kanaallengte: 100 Micrometer --> 0.0001 Meter (Bekijk de conversie hier)
Effectieve spanning: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2 --> 1/2*0.00058*1E-05/0.0001*(1.7)^2

Evalueren ... ...

I_d(sat) = 8.381E-05

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

8.381E-05 Ampère -->0.08381 milliampère (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.08381 milliampère <-- Verzadigingsafvoerstroom

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » Huidig » Afvoerverzadigingsstroom van MOSFET

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< Huidig Rekenmachines

Tweede afvoerstroom van MOSFET bij werking met groot signaal

LaTeX Gaan Afvoerstroom 2 = DC-biasstroom/2-DC-biasstroom/Overstuurspanning*Differentieel ingangssignaal/2*sqrt(1-(Differentieel ingangssignaal)^2/(4*Overstuurspanning^2))

Eerste afvoerstroom van MOSFET bij werking met groot signaal

LaTeX Gaan Afvoerstroom 1 = DC-biasstroom/2+DC-biasstroom/Overstuurspanning*Differentieel ingangssignaal/2*sqrt(1-Differentieel ingangssignaal^2/(4*Overstuurspanning^2))

Eerste afvoerstroom van MOSFET bij werking met groot signaal bij overdrive-spanning

LaTeX Gaan Afvoerstroom 1 = DC-biasstroom/2+DC-biasstroom/Overstuurspanning*Differentieel ingangssignaal/2

Afvoerstroom van MOSFET bij werking met groot signaal bij overdrive-spanning

LaTeX Gaan Afvoerstroom = (DC-biasstroom/Overstuurspanning)*(Differentieel ingangssignaal/2)

Bekijk meer >>

Afvoerverzadigingsstroom van MOSFET Formule

LaTeX Gaan

Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantie in PMOS*Kanaalbreedte/Kanaallengte*(Effectieve spanning)^2
I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2

Wat is afvoerverzadigingsstroom?

Een uitputtingslaag die zich aan het afvoeruiteinde van de poort bevindt, biedt plaats aan de extra afvoer-naar-source-spanning. Dit gedrag wordt afvoerstroomverzadiging genoemd. Het kwadratische model verklaart de typische stroomspanningskarakteristieken van een MOSFET, die normaal worden uitgezet voor verschillende gate-to-source-spanningen.

Hoeveel stroom kan een MOSFET aan?

MOSFET's met hoge stroomsterkte, zoals de 511-STP200N3LL, zeggen dat ze 120 Ampère stroom aankunnen. De Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, of kortweg MOSFET, heeft een extreem hoge ingangspoortweerstand waarbij de stroom die door het kanaal tussen de source en drain vloeit, wordt bestuurd door de poortspanning.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!