Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor Rekenmachine

✖De Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.ⓘ Procestransconductantieparameter in PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖Beeldverhouding wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de breedte van het kanaal van de transistor en de lengte ervan. Het is de verhouding tussen de breedte van de poort en de afstand tot de bronⓘ Beeldverhouding [WL]			+10% -10%
✖De spanning tussen poort en bron van een veldeffecttransistor (FET) staat bekend als de poort-bronspanning (VGS). Het is een belangrijke parameter die de werking van de FET beïnvloedt.ⓘ Spanning tussen poort en bron [V_GS]			+10% -10%
✖Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.ⓘ Drempelspanning [V_T]			+10% -10%
✖De spanning tussen drain en source is een sleutelparameter in de werking van een veldeffecttransistor (FET) en wordt vaak de "drain-source voltage" of VDS genoemd.ⓘ Spanning tussen afvoer en bron [V_DS]			+10% -10%

✖Afvoerstroom is de elektrische stroom die van de afvoer naar de bron van een veldeffecttransistor (FET) of een metaaloxide-halfgeleider veldeffecttransistor (MOSFET) vloeit.ⓘ Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor [I_d]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*((Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))*Spanning tussen afvoer en bron-1/2*(Spanning tussen afvoer en bron)^2)
I_d = k'_p*WL*((V_GS-modulus(V_T))*V_DS-1/2*(V_DS)^2)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 6 Variabelen

Functies die worden gebruikt

modulus - De modulus van een getal is de rest als dat getal gedeeld wordt door een ander getal., modulus

Variabelen gebruikt

Afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom is de elektrische stroom die van de afvoer naar de bron van een veldeffecttransistor (FET) of een metaaloxide-halfgeleider veldeffecttransistor (MOSFET) vloeit.
Procestransconductantieparameter in PMOS - (Gemeten in Siemens) - De Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.
Beeldverhouding - Beeldverhouding wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de breedte van het kanaal van de transistor en de lengte ervan. Het is de verhouding tussen de breedte van de poort en de afstand tot de bron
Spanning tussen poort en bron - (Gemeten in Volt) - De spanning tussen poort en bron van een veldeffecttransistor (FET) staat bekend als de poort-bronspanning (VGS). Het is een belangrijke parameter die de werking van de FET beïnvloedt.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.
Spanning tussen afvoer en bron - (Gemeten in Volt) - De spanning tussen drain en source is een sleutelparameter in de werking van een veldeffecttransistor (FET) en wordt vaak de "drain-source voltage" of VDS genoemd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Procestransconductantieparameter in PMOS: 2.1 Millisiemens --> 0.0021 Siemens (Bekijk de conversie hier)
Beeldverhouding: 6 --> Geen conversie vereist
Spanning tussen poort en bron: 2.86 Volt --> 2.86 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Geen conversie vereist
Spanning tussen afvoer en bron: 2.45 Volt --> 2.45 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

I_d = k'_p*WL*((V_GS-modulus(V_T))*V_DS-1/2*(V_DS)^2) --> 0.0021*6*((2.86-modulus(0.7))*2.45-1/2*(2.45)^2)

Evalueren ... ...

I_d = 0.02886345

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.02886345 Ampère -->28.86345 milliampère (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

28.86345 milliampère <-- Afvoerstroom

(Berekening voltooid in 00.010 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » P Kanaalverbetering » Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< P Kanaalverbetering Rekenmachines

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor

LaTeX Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*((Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))*Spanning tussen afvoer en bron-1/2*(Spanning tussen afvoer en bron)^2)

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor gegeven Vsd

LaTeX Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(modulus(Effectieve spanning)-1/2*Spanning tussen afvoer en bron)*Spanning tussen afvoer en bron

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor

LaTeX Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov

LaTeX Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Effectieve spanning)^2

Bekijk meer >>

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor Formule

LaTeX Gaan

Wat is afvoerstroom in MOSFET?

De afvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de subdrempelstroom en varieert exponentieel met Vgs. Het omgekeerde van de helling van de log (Ids) versus Vgs-karakteristiek wordt gedefinieerd als de subdrempelhelling, S, en is een van de meest kritische prestatiestatistieken voor MOSFET's in logische toepassingen.

Op welke manier stroomt de stroom in een PMOS?

In een NMOS zijn elektronen de ladingsdragers. Dus elektronen reizen van Source naar Drain (wat betekent dat de stroom gaat van Drain> Source.) In een PMOS-gaatje zitten de lading. Dus gaten reizen van Source naar Drain.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!