Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2
Ids = 1/2*k'p*WL*(VGS-modulus(VT))^2
Deze formule gebruikt 1 Functies, 5 Variabelen
Functies die worden gebruikt
modulus - De modulus van een getal is de rest als dat getal gedeeld wordt door een ander getal., modulus
Variabelen gebruikt
Verzadigingsafvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Verzadigingsafvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de onderdrempelstroom en varieert exponentieel met poort-naar-bronspanning.
Procestransconductantieparameter in PMOS - (Gemeten in Siemens) - De Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.
Beeldverhouding - Beeldverhouding wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de breedte van het kanaal van de transistor en de lengte ervan. Het is de verhouding tussen de breedte van de poort en de afstand tot de bron
Spanning tussen poort en bron - (Gemeten in Volt) - De spanning tussen poort en bron van een veldeffecttransistor (FET) staat bekend als de poort-bronspanning (VGS). Het is een belangrijke parameter die de werking van de FET beïnvloedt.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Procestransconductantieparameter in PMOS: 2.1 Millisiemens --> 0.0021 Siemens (Bekijk de conversie ​hier)
Beeldverhouding: 6 --> Geen conversie vereist
Spanning tussen poort en bron: 2.86 Volt --> 2.86 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Ids = 1/2*k'p*WL*(VGS-modulus(VT))^2 --> 1/2*0.0021*6*(2.86-modulus(0.7))^2
Evalueren ... ...
Ids = 0.02939328
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.02939328 Ampère -->29.39328 milliampère (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
29.39328 milliampère <-- Verzadigingsafvoerstroom
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri
Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

P Kanaalverbetering Rekenmachines

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor
​ LaTeX ​ Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*((Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))*Spanning tussen afvoer en bron-1/2*(Spanning tussen afvoer en bron)^2)
Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor gegeven Vsd
​ LaTeX ​ Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(modulus(Effectieve spanning)-1/2*Spanning tussen afvoer en bron)*Spanning tussen afvoer en bron
Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor
​ LaTeX ​ Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2
Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov
​ LaTeX ​ Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Effectieve spanning)^2

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor Formule

​LaTeX ​Gaan
Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2
Ids = 1/2*k'p*WL*(VGS-modulus(VT))^2

Wat is afvoerstroom in MOSFET?

De afvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de subdrempelstroom en varieert exponentieel met Vgs. Het omgekeerde van de helling van de log (Ids) versus Vgs-karakteristiek wordt gedefinieerd als de subdrempelhelling, S, en is een van de meest kritische prestatiestatistieken voor MOSFET's in logische toepassingen.

Op welke manier stroomt de stroom in een PMOS?

In een NMOS zijn elektronen de ladingsdragers. Dus elektronen reizen van Source naar Drain (wat betekent dat de stroom gaat van Drain> Source.) In een PMOS-gaatje zitten de lading. Dus gaten reizen van Source naar Drain.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!