Afvoerstroom in verzadigingsgebied in MOS-transistor Rekenmachine

✖Kanaalbreedte vertegenwoordigt de breedte van het geleidende kanaal binnen een MOSFET, wat rechtstreeks van invloed is op de hoeveelheid stroom die het kan verwerken.ⓘ Kanaalbreedte [W]			+10% -10%
✖Verzadiging Elektronendriftsnelheid vertegenwoordigt de elektronendriftsnelheid bij verzadiging in een MOSFET met lage elektrische velden.ⓘ Verzadiging Elektronendriftsnelheid [V_d(sat)]			+10% -10%
✖Een lading is de fundamentele eigenschap van vormen van materie die elektrostatische aantrekking of afstoting vertonen in de aanwezigheid van andere materie.ⓘ Aanval [q]			+10% -10%
✖Short Channel Parameter is een parameter (mogelijk modelspecifiek) die wordt gebruikt om een kenmerk van het kanaalgebied in een kortkanaal-MOSFET te beschrijven.ⓘ Korte kanaalparameter [n_x]			+10% -10%
✖Effectieve kanaallengte is het gedeelte van het kanaal dat actief stroom geleidt wanneer de transistor in werking is.ⓘ Effectieve kanaallengte [L_eff]			+10% -10%

✖Verzadigingsgebied-drainstroom is de stroom die van de drain-terminal naar de source-terminal vloeit wanneer de transistor in een specifieke modus werkt.ⓘ Afvoerstroom in verzadigingsgebied in MOS-transistor [I_D(sat)]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Afvoerstroom in verzadigingsgebied in MOS-transistor Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Verzadigingsgebied Afvoerstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*int(Aanval*Korte kanaalparameter,x,0,Effectieve kanaallengte)
I_D(sat) = W*V_d(sat)*int(q*n_x,x,0,L_eff)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 6 Variabelen

Functies die worden gebruikt

int - De bepaalde integraal kan worden gebruikt om het netto getekende oppervlak te berekenen. Dit is het oppervlak boven de x-as min het oppervlak onder de x-as., int(expr, arg, from, to)

Variabelen gebruikt

Verzadigingsgebied Afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Verzadigingsgebied-drainstroom is de stroom die van de drain-terminal naar de source-terminal vloeit wanneer de transistor in een specifieke modus werkt.
Kanaalbreedte - (Gemeten in Meter) - Kanaalbreedte vertegenwoordigt de breedte van het geleidende kanaal binnen een MOSFET, wat rechtstreeks van invloed is op de hoeveelheid stroom die het kan verwerken.
Verzadiging Elektronendriftsnelheid - (Gemeten in Meter per seconde) - Verzadiging Elektronendriftsnelheid vertegenwoordigt de elektronendriftsnelheid bij verzadiging in een MOSFET met lage elektrische velden.
Aanval - (Gemeten in Coulomb) - Een lading is de fundamentele eigenschap van vormen van materie die elektrostatische aantrekking of afstoting vertonen in de aanwezigheid van andere materie.
Korte kanaalparameter - Short Channel Parameter is een parameter (mogelijk modelspecifiek) die wordt gebruikt om een kenmerk van het kanaalgebied in een kortkanaal-MOSFET te beschrijven.
Effectieve kanaallengte - (Gemeten in Meter) - Effectieve kanaallengte is het gedeelte van het kanaal dat actief stroom geleidt wanneer de transistor in werking is.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Kanaalbreedte: 2.678 Meter --> 2.678 Meter Geen conversie vereist
Verzadiging Elektronendriftsnelheid: 5.773 Meter per seconde --> 5.773 Meter per seconde Geen conversie vereist
Aanval: 0.3 Coulomb --> 0.3 Coulomb Geen conversie vereist
Korte kanaalparameter: 5.12 --> Geen conversie vereist
Effectieve kanaallengte: 7.76 Meter --> 7.76 Meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

I_D(sat) = W*V_d(sat)*int(q*n_x,x,0,L_eff) --> 2.678*5.773*int(0.3*5.12,x,0,7.76)

Evalueren ... ...

I_D(sat) = 184.27442601984

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

184.27442601984 Ampère --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

184.27442601984 ≈ 184.2744 Ampère <-- Verzadigingsgebied Afvoerstroom

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » MOS-transistor » Afvoerstroom in verzadigingsgebied in MOS-transistor

Credits

Gemaakt door Vignesh Naidu

Vellore Instituut voor Technologie (VIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesh Naidu heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 10+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< MOS-transistor Rekenmachines

Equivalentiefactor voor zijwandspanning

LaTeX Gaan Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))

Fermi-potentieel voor P-type

LaTeX Gaan Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

LaTeX Gaan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

LaTeX Gaan Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand

Bekijk meer >>

Afvoerstroom in verzadigingsgebied in MOS-transistor Formule

LaTeX Gaan

Verzadigingsgebied Afvoerstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*int(Aanval*Korte kanaalparameter,x,0,Effectieve kanaallengte)
I_D(sat) = W*V_d(sat)*int(q*n_x,x,0,L_eff)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!