Afvoerstroom die door de MOS-transistor vloeit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Afvoerstroom = (Kanaalbreedte/Kanaallengte)*Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit*int((Poortbronspanning-x-Drempelspanning),x,0,Afvoerbronspanning)
ID = (W/L)*μn*Cox*int((VGS-x-VT),x,0,VDS)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 8 Variabelen
Functies die worden gebruikt
int - De bepaalde integraal kan worden gebruikt om het netto getekende oppervlak te berekenen. Dit is het oppervlak boven de x-as min het oppervlak onder de x-as., int(expr, arg, from, to)
Variabelen gebruikt
Afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom is de stroom die van de afvoeraansluiting naar de bronaansluiting vloeit, geregeld door de spanning die op de poort wordt aangelegd.
Kanaalbreedte - (Gemeten in Meter) - Kanaalbreedte vertegenwoordigt de breedte van het geleidende kanaal binnen een MOSFET, wat rechtstreeks van invloed is op de hoeveelheid stroom die het kan verwerken.
Kanaallengte - (Gemeten in Meter) - Kanaallengte in een MOSFET is de afstand tussen de source- en drain-regio's, die bepaalt hoe gemakkelijk stroom vloeit en de prestaties van de transistor beïnvloedt.
Elektronenmobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Elektronenmobiliteit in MOSFET beschrijft hoe gemakkelijk elektronen door het kanaal kunnen bewegen, waardoor de stroom bij een bepaalde spanning rechtstreeks wordt beïnvloed.
Oxidecapaciteit - (Gemeten in Farad) - Oxidecapaciteit verwijst naar de capaciteit die is geassocieerd met de isolerende oxidelaag in een metaaloxide-halfgeleiderstructuur (MOS), zoals in MOSFET's.
Poortbronspanning - (Gemeten in Volt) - Gate Source Voltage is de spanning die wordt aangelegd tussen de gate- en source-aansluitingen van een MOSFET.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning is de minimale poort-naar-bronspanning die nodig is in een MOSFET om deze "aan" te zetten en een aanzienlijke stroom te laten vloeien.
Afvoerbronspanning - (Gemeten in Volt) - Drain Source-spanning is de spanning die wordt toegepast tussen drain en source-aansluiting.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Kanaalbreedte: 2.678 Meter --> 2.678 Meter Geen conversie vereist
Kanaallengte: 3.45 Meter --> 3.45 Meter Geen conversie vereist
Elektronenmobiliteit: 9.92 Vierkante meter per volt per seconde --> 9.92 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Oxidecapaciteit: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Geen conversie vereist
Poortbronspanning: 29.65 Volt --> 29.65 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 5.91 Volt --> 5.91 Volt Geen conversie vereist
Afvoerbronspanning: 45 Volt --> 45 Volt Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
ID = (W/L)*μn*Cox*int((VGS-x-VT),x,0,VDS) --> (2.678/3.45)*9.92*3.9*int((29.65-x-5.91),x,0,45)
Evalueren ... ...
ID = 1675.72193947826
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
1675.72193947826 Ampère --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
1675.72193947826 1675.722 Ampère <-- Afvoerstroom
(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Vignesh Naidu
Vellore Instituut voor Technologie (VIT), Vellore, Tamil Nadu
Vignesh Naidu heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 10+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Dipanjona Mallick
Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta
Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

MOS-transistor Rekenmachines

Equivalentiefactor voor zijwandspanning
​ LaTeX ​ Gaan Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))
Fermi-potentieel voor P-type
​ LaTeX ​ Gaan Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)
Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit
​ LaTeX ​ Gaan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning
Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid
​ LaTeX ​ Gaan Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand

Afvoerstroom die door de MOS-transistor vloeit Formule

​LaTeX ​Gaan
Afvoerstroom = (Kanaalbreedte/Kanaallengte)*Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit*int((Poortbronspanning-x-Drempelspanning),x,0,Afvoerbronspanning)
ID = (W/L)*μn*Cox*int((VGS-x-VT),x,0,VDS)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!