Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)
Id = β/2*(Vgs-Vth)^2*(1+λi*Vds)
Deze formule gebruikt 6 Variabelen
Variabelen gebruikt
Afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom verwijst naar de stroom die vloeit tussen de afvoer- en bronaansluitingen van de transistor wanneer deze in bedrijf is.
Transconductantieparameter - (Gemeten in Siemens) - Transconductantieparameter wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de verandering in de uitgangsstroom en de verandering in de ingangsspanning van een apparaat.
Poortbronspanning - (Gemeten in Volt) - Gate Source Voltage verwijst naar het potentiaalverschil tussen de gate-terminal en de source-terminal van het apparaat. Deze spanning speelt een cruciale rol bij het regelen van de geleidbaarheid van de MOSFET.
Drempelspanning zonder lichaamsafwijking - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning met nullichaamsbias verwijst naar de drempelspanning wanneer er geen externe voorspanning wordt toegepast op het halfgeleidersubstraat (lichaamsaansluiting).
Modulatiefactor kanaallengte - Kanaallengtemodulatiefactor waarbij de effectieve kanaallengte toeneemt met een toename van de drain-to-source-spanning.
Afvoerbronspanning - (Gemeten in Volt) - Drain Source-spanning is de spanning over de drain- en source-aansluiting.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Transconductantieparameter: 0.0025 Siemens --> 0.0025 Siemens Geen conversie vereist
Poortbronspanning: 2.45 Volt --> 2.45 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning zonder lichaamsafwijking: 3.4 Volt --> 3.4 Volt Geen conversie vereist
Modulatiefactor kanaallengte: 9 --> Geen conversie vereist
Afvoerbronspanning: 1.24 Volt --> 1.24 Volt Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Id = β/2*(Vgs-Vth)^2*(1+λi*Vds) --> 0.0025/2*(2.45-3.4)^2*(1+9*1.24)
Evalueren ... ...
Id = 0.013718
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.013718 Ampère --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
0.013718 Ampère <-- Afvoerstroom
(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore
banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

MOS IC-fabricage Rekenmachines

Lichaamseffect in MOSFET
​ LaTeX ​ Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))
Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied
​ LaTeX ​ Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)
Kanaal weerstand
​ LaTeX ​ Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)
MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie
​ LaTeX ​ Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied Formule

​LaTeX ​Gaan
Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)
Id = β/2*(Vgs-Vth)^2*(1+λi*Vds)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!