KGV rekenmachine

Donor concentratie Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Solid State-apparaten Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

SSD-knooppunt Elektronen en gaten Energieband en ladingdrager Halfgeleider dragers

✖Total Acceptor Charge verwijst naar de totale netto lading geassocieerd met de acceptoratomen in een halfgeleidermateriaal of apparaat.ⓘ Totale acceptatiekosten [\|Q\|]			+10% -10%
✖Ladingspenetratie P-type verwijst naar het fenomeen waarbij doteringsatomen, zoals boor of gallium, gaten introduceren in het kristalrooster van het halfgeleidermateriaal, typisch silicium of germanium.ⓘ Ladingspenetratie P-type [x_po]			+10% -10%
✖Het verbindingsgebied is het grens- of interfacegebied tussen twee soorten halfgeleidermaterialen in een pn-diode.ⓘ Verbindingsgebied [A_j]			+10% -10%

✖Donorconcentratie verwijst naar de concentratie of dichtheid van donoratomen in een halfgeleidermateriaal.ⓘ Donor concentratie [N_d]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden SSD-knooppunt Formules Pdf PDF Image

Donor concentratie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Donor concentratie = Totale acceptatiekosten/([Charge-e]*Ladingspenetratie P-type*Verbindingsgebied)
N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j)
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 4 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Variabelen gebruikt

Donor concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Donorconcentratie verwijst naar de concentratie of dichtheid van donoratomen in een halfgeleidermateriaal.
Totale acceptatiekosten - (Gemeten in Coulomb) - Total Acceptor Charge verwijst naar de totale netto lading geassocieerd met de acceptoratomen in een halfgeleidermateriaal of apparaat.
Ladingspenetratie P-type - (Gemeten in Meter) - Ladingspenetratie P-type verwijst naar het fenomeen waarbij doteringsatomen, zoals boor of gallium, gaten introduceren in het kristalrooster van het halfgeleidermateriaal, typisch silicium of germanium.
Verbindingsgebied - (Gemeten in Plein Meter) - Het verbindingsgebied is het grens- of interfacegebied tussen twee soorten halfgeleidermaterialen in een pn-diode.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Totale acceptatiekosten: 13 Coulomb --> 13 Coulomb Geen conversie vereist
Ladingspenetratie P-type: 0.06 Micrometer --> 6E-08 Meter (Bekijk de conversie hier)
Verbindingsgebied: 5401.3 Plein Micrometer --> 5.4013E-09 Plein Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j) --> 13/([Charge-e]*6E-08*5.4013E-09)

Evalueren ... ...

N_d = 2.50370647427462E+35

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

2.50370647427462E+35 1 per kubieke meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

2.50370647427462E+35 ≈ 2.5E+35 1 per kubieke meter <-- Donor concentratie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » SSD-knooppunt » Donor concentratie

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< SSD-knooppunt Rekenmachines

Verbindingscapaciteit

LaTeX Gaan Verbindingscapaciteit = (Verbindingsgebied/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Constante lengteverschuiving*Dopingconcentratie van base)/(Bronspanning-Bronspanning 1))

Serieweerstand in P-type

LaTeX Gaan Serieweerstand in P-kruising = ((Bronspanning-Verbindingsspanning)/Elektrische stroom)-Serieweerstand in N-kruising

Junctiespanning

LaTeX Gaan Verbindingsspanning = Bronspanning-(Serieweerstand in P-kruising+Serieweerstand in N-kruising)*Elektrische stroom

Breedte van het type N

LaTeX Gaan Ladingspenetratie N-type = Totale acceptatiekosten/(Verbindingsgebied*Acceptor concentratie*[Charge-e])

Bekijk meer >>

Donor concentratie Formule

LaTeX Gaan

Donor concentratie = Totale acceptatiekosten/([Charge-e]*Ladingspenetratie P-type*Verbindingsgebied)
N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j)

Wat is een donoratoom?

Een donor is een doteringsatoom dat, wanneer het aan een halfgeleider wordt toegevoegd, een n-type gebied kan vormen. Een donoratoom heeft meer elektronen beschikbaar voor binding met naburige atomen dan nodig is voor een atoom in de gastheerhalfgeleider.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!