Differentiële spanningsversterking in MOS differentiële versterker Rekenmachine

✖Transconductantie is de verandering in de drainstroom gedeeld door de kleine verandering in de gate/source-spanning bij een constante drain/source-spanning.ⓘ Transgeleiding [g_m]			+10% -10%
✖De gemeenschappelijke emitterstroomversterking wordt sterk beïnvloed door twee factoren: de breedte van het basisgebied, W, en de relatieve dotering van het basisgebied en het emittergebied.ⓘ Gemeenschappelijke emitterstroomversterking [β]			+10% -10%
✖De weerstand van de primaire wikkeling in de secundaire wikkeling van een MOSFET is de weerstand tegen de stroom die er doorheen vloeit. Het hangt af van het specifieke MOSFET-ontwerp en de bedrijfsomstandigheden.ⓘ Weerstand van primaire wikkeling in secundaire [R'₁]			+10% -10%
✖De weerstand van de secundaire wikkeling in de primaire fase van een MOSFET is de weerstand tegen de stroom die er doorheen vloeit. Het hangt af van het specifieke MOSFET-ontwerp en de bedrijfsomstandigheden.ⓘ Weerstand van secundaire wikkeling in primaire [R'₂]			+10% -10%

✖Differentiële versterking is de versterking van de versterker wanneer een differentiële ingang wordt geleverd, dwz ingang 1 is niet gelijk aan ingang 2.ⓘ Differentiële spanningsversterking in MOS differentiële versterker [A_d]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET-versterkers Formules Pdf PDF Image

Differentiële spanningsversterking in MOS differentiële versterker Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Differentiële winst = Transgeleiding*(1/(Gemeenschappelijke emitterstroomversterking*Weerstand van primaire wikkeling in secundaire)+(1/(1/(Gemeenschappelijke emitterstroomversterking*Weerstand van secundaire wikkeling in primaire))))
A_d = g_m*(1/(β*R'₁)+(1/(1/(β*R'₂))))
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Differentiële winst - Differentiële versterking is de versterking van de versterker wanneer een differentiële ingang wordt geleverd, dwz ingang 1 is niet gelijk aan ingang 2.
Transgeleiding - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie is de verandering in de drainstroom gedeeld door de kleine verandering in de gate/source-spanning bij een constante drain/source-spanning.
Gemeenschappelijke emitterstroomversterking - De gemeenschappelijke emitterstroomversterking wordt sterk beïnvloed door twee factoren: de breedte van het basisgebied, W, en de relatieve dotering van het basisgebied en het emittergebied.
Weerstand van primaire wikkeling in secundaire - (Gemeten in Ohm) - De weerstand van de primaire wikkeling in de secundaire wikkeling van een MOSFET is de weerstand tegen de stroom die er doorheen vloeit. Het hangt af van het specifieke MOSFET-ontwerp en de bedrijfsomstandigheden.
Weerstand van secundaire wikkeling in primaire - (Gemeten in Ohm) - De weerstand van de secundaire wikkeling in de primaire fase van een MOSFET is de weerstand tegen de stroom die er doorheen vloeit. Het hangt af van het specifieke MOSFET-ontwerp en de bedrijfsomstandigheden.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Transgeleiding: 0.25 Millisiemens --> 0.00025 Siemens (Bekijk de conversie hier)
Gemeenschappelijke emitterstroomversterking: 6.52 --> Geen conversie vereist
Weerstand van primaire wikkeling in secundaire: 5.8 Kilohm --> 5800 Ohm (Bekijk de conversie hier)
Weerstand van secundaire wikkeling in primaire: 4.3 Kilohm --> 4300 Ohm (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

A_d = g_m*(1/(β*R'₁)+(1/(1/(β*R'₂)))) --> 0.00025*(1/(6.52*5800)+(1/(1/(6.52*4300))))

Evalueren ... ...

A_d = 7.00900000661096

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

7.00900000661096 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

7.00900000661096 ≈ 7.009 <-- Differentiële winst

(Berekening voltooid in 00.005 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Versterkers » MOSFET-versterkers » Differentiële configuratie » Differentiële spanningsversterking in MOS differentiële versterker

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Anshika Arya

Nationaal Instituut voor Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 2500+ rekenmachines!

< Differentiële configuratie Rekenmachines

Minimaal ingangsbereik in common-mode van MOS differentiële versterker

LaTeX Gaan Common-mode-bereik = Drempelspanning+Effectieve spanning+Spanning tussen poort en bron-Laad spanning

Maximaal ingangsbereik in common-mode van MOS differentiële versterker

LaTeX Gaan Common-mode-bereik = Drempelspanning+Laad spanning-(1/2*Belastingsweerstand)

Ingangsspanning van MOS differentiële versterker bij gebruik met klein signaal

LaTeX Gaan Ingangsspanning = Common-mode gelijkstroomspanning+(1/2*Differentieel ingangssignaal)

Ingangscompensatiespanning van MOS-differentiële versterker:

LaTeX Gaan Ingangsoffsetspanning = Uitgang DC-offsetspanning/Differentiële winst

Bekijk meer >>

Differentiële spanningsversterking in MOS differentiële versterker Formule

LaTeX Gaan

Wat is differentiële versterking en common mode-versterking?

Spanningsversterking met differentiële belasting is de versterking die wordt gegeven aan een spanning die tussen de twee ingangsklemmen verschijnt. Het vertegenwoordigt twee verschillende spanningen op de ingangen. Daarentegen is common-load spanningsversterking de versterking die wordt gegeven aan een spanning die op beide ingangsklemmen verschijnt ten opzichte van aarde.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!