Rekenmachines A tot Z
🔍
Downloaden PDF
Chemie
Engineering
Financieel
Gezondheid
Wiskunde
Fysica
Winnende percentage
Gemengde fractie
KGV van twee getallen
Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron Rekenmachine
Engineering
Chemie
Financieel
Fysica
Meer >>
↳
Elektronica
Chemische technologie
Civiel
Elektrisch
Meer >>
⤿
Analoge elektronica
Analoge communicatie
Antenne- en golfvoortplanting
CMOS-ontwerp en toepassingen
Meer >>
⤿
MOSFET
BJT
⤿
MOS-transistor
Common Mode-afwijzingsratio (CMRR)
Huidig
Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model
Meer >>
✖
Ingebouwde junctiepotentiaal verwijst naar het potentiaalverschil of de spanning die bestaat over een halfgeleiderovergang wanneer deze niet is aangesloten op een externe spanningsbron.
ⓘ
Ingebouwd verbindingspotentieel [Φ
o
]
Kilovolt
Megavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Planck Voltage
Volt
+10%
-10%
✖
Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.
ⓘ
Dopingconcentratie van acceptor [N
A
]
Elektronen per kubieke centimeter
Elektronen per kubieke meter
+10%
-10%
✖
Het diepte-uitputtingsgebied van de bron is het uitputtingsgebied dat zich vormt nabij de bronterminal wanneer een spanning wordt aangelegd op de poortterminal.
ⓘ
Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron [x
dS
]
Angstrom
astronomische eenheid
Centimeter
decimeter
Equatoriale straal aarde
fermi
Voet
duim
Kilometer
Lichtjaar
Meter
Microinch
Micrometer
Micron
Mijl
Millimeter
Nanometer
picometer
Yard
⎘ Kopiëren
Stappen
👎
Formule
✖
Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron
Formule
x
dS
=
2
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
Φ
o
[Charge-e]
⋅
N
A
Voorbeeld
1.5E+7 m
=
2
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
2 V
[Charge-e]
⋅
1.32 electrons/cm³
Rekenmachine
LaTeX
Reset
👍
Downloaden MOSFET Formule Pdf
Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron Oplossing
STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Bron's diepte van de uitputtingsregio
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Ingebouwd verbindingspotentieel
)/(
[Charge-e]
*
Dopingconcentratie van acceptor
))
x
dS
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Φ
o
)/(
[Charge-e]
*
N
A
))
Deze formule gebruikt
2
Constanten
,
1
Functies
,
3
Variabelen
Gebruikte constanten
[Permitivity-silicon]
- Permittiviteit van silicium Waarde genomen als 11.7
[Charge-e]
- Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
Functies die worden gebruikt
sqrt
- Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)
Variabelen gebruikt
Bron's diepte van de uitputtingsregio
-
(Gemeten in Meter)
- Het diepte-uitputtingsgebied van de bron is het uitputtingsgebied dat zich vormt nabij de bronterminal wanneer een spanning wordt aangelegd op de poortterminal.
Ingebouwd verbindingspotentieel
-
(Gemeten in Volt)
- Ingebouwde junctiepotentiaal verwijst naar het potentiaalverschil of de spanning die bestaat over een halfgeleiderovergang wanneer deze niet is aangesloten op een externe spanningsbron.
Dopingconcentratie van acceptor
-
(Gemeten in Elektronen per kubieke meter)
- Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Ingebouwd verbindingspotentieel:
2 Volt --> 2 Volt Geen conversie vereist
Dopingconcentratie van acceptor:
1.32 Elektronen per kubieke centimeter --> 1320000 Elektronen per kubieke meter
(Bekijk de conversie
hier
)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
x
dS
= sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Φ
o
)/([Charge-e]*N
A
)) -->
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*1320000))
Evalueren ... ...
x
dS
= 14875814.9060508
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
14875814.9060508 Meter --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
14875814.9060508
≈
1.5E+7 Meter
<--
Bron's diepte van de uitputtingsregio
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)
Je bevindt je hier
-
Huis
»
Engineering
»
Elektronica
»
MOSFET
»
Analoge elektronica
»
MOS-transistor
»
Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron
Credits
Gemaakt door
banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door
Dipanjona Mallick
Erfgoedinstituut voor technologie
(HITK)
,
Calcutta
Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!
<
MOS-transistor Rekenmachines
Equivalentiefactor voor zijwandspanning
Gaan
Equivalentiefactor voor zijwandspanning
= -(2*
sqrt
(
Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen
)/(
Eindspanning
-
Initiële spanning
)*(
sqrt
(
Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen
-
Eindspanning
)-
sqrt
(
Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen
-
Initiële spanning
)))
Fermi-potentieel voor P-type
Gaan
Fermi-potentieel voor P-type
= (
[BoltZ]
*
Absolute temperatuur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Intrinsieke dragerconcentratie
/
Dopingconcentratie van acceptor
)
Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit
Gaan
Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit
=
Omtrek van zijwand
*
Zijwandverbindingscapaciteit
*
Equivalentiefactor voor zijwandspanning
Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid
Gaan
Zijwandverbindingscapaciteit
=
Zero Bias zijwandverbindingspotentieel
*
Diepte van zijwand
Bekijk meer >>
Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron Formule
Bron's diepte van de uitputtingsregio
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Ingebouwd verbindingspotentieel
)/(
[Charge-e]
*
Dopingconcentratie van acceptor
))
x
dS
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Φ
o
)/(
[Charge-e]
*
N
A
))
Huis
VRIJ PDF's
🔍
Zoeken
Categorieën
Delen
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!