Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron Rekenmachine

✖Ingebouwde junctiepotentiaal verwijst naar het potentiaalverschil of de spanning die bestaat over een halfgeleiderovergang wanneer deze niet is aangesloten op een externe spanningsbron.ⓘ Ingebouwd verbindingspotentieel [Φ_o]			+10% -10%
✖Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.ⓘ Dopingconcentratie van acceptor [N_A]			+10% -10%

✖Het diepte-uitputtingsgebied van de bron is het uitputtingsgebied dat zich vormt nabij de bronterminal wanneer een spanning wordt aangelegd op de poortterminal.ⓘ Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron [x_dS]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron

Formule

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot Φ o}{[Charge-e] \cdot N A}}

Voorbeeld

1.5E+7 m = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 2 V}{[Charge-e] \cdot 1.32 electrons/cm³}}

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Bron's diepte van de uitputtingsregio = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Ingebouwd verbindingspotentieel)/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor))
x_dS = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Φ_o)/([Charge-e]*N_A))
Deze formule gebruikt 2 Constanten, 1 Functies, 3 Variabelen

Gebruikte constanten

[Permitivity-silicon] - Permittiviteit van silicium Waarde genomen als 11.7
[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Bron's diepte van de uitputtingsregio - (Gemeten in Meter) - Het diepte-uitputtingsgebied van de bron is het uitputtingsgebied dat zich vormt nabij de bronterminal wanneer een spanning wordt aangelegd op de poortterminal.
Ingebouwd verbindingspotentieel - (Gemeten in Volt) - Ingebouwde junctiepotentiaal verwijst naar het potentiaalverschil of de spanning die bestaat over een halfgeleiderovergang wanneer deze niet is aangesloten op een externe spanningsbron.
Dopingconcentratie van acceptor - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Ingebouwd verbindingspotentieel: 2 Volt --> 2 Volt Geen conversie vereist
Dopingconcentratie van acceptor: 1.32 Elektronen per kubieke centimeter --> 1320000 Elektronen per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

x_dS = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Φ_o)/([Charge-e]*N_A)) --> sqrt((2*[Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*1320000))

Evalueren ... ...

x_dS = 14875814.9060508

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

14875814.9060508 Meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

14875814.9060508 ≈ 1.5E+7 Meter <-- Bron's diepte van de uitputtingsregio

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » MOS-transistor » Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< MOS-transistor Rekenmachines

Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Gaan Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))

Fermi-potentieel voor P-type

Gaan Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

Gaan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

Gaan Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand

Bekijk meer >>