Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied Rekenmachine

✖Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.ⓘ Dopingconcentratie van acceptor [N_A]			+10% -10%
✖Oppervlaktepotentiaal is de elektrische potentiaal aan het oppervlak van de halfgeleider, met name op het grensvlak tussen de halfgeleider en de isolator.ⓘ Oppervlaktepotentieel [Φ_s]			+10% -10%
✖Bulk Fermi Potential is een parameter die de elektrostatische potentiaal in de bulk (binnenkant) van een halfgeleidermateriaal beschrijft.ⓘ Bulk Fermi-potentieel [Φ_f]			+10% -10%

✖De dichtheid van de uitputtingslaagkosten is het bedrag van deze vaste kosten per oppervlakte-eenheid binnen het uitputtingsgebied.ⓘ Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied [Q_d]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Dichtheid van de lading van de uitputtingslaag = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor*modulus(Oppervlaktepotentieel-Bulk Fermi-potentieel)))
Q_d = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A*modulus(Φ_s-Φ_f)))
Deze formule gebruikt 2 Constanten, 2 Functies, 4 Variabelen

Gebruikte constanten

[Permitivity-silicon] - Permittiviteit van silicium Waarde genomen als 11.7
[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)
modulus - De modulus van een getal is de rest als dat getal gedeeld wordt door een ander getal., modulus

Variabelen gebruikt

Dichtheid van de lading van de uitputtingslaag - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - De dichtheid van de uitputtingslaagkosten is het bedrag van deze vaste kosten per oppervlakte-eenheid binnen het uitputtingsgebied.
Dopingconcentratie van acceptor - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.
Oppervlaktepotentieel - (Gemeten in Volt) - Oppervlaktepotentiaal is de elektrische potentiaal aan het oppervlak van de halfgeleider, met name op het grensvlak tussen de halfgeleider en de isolator.
Bulk Fermi-potentieel - (Gemeten in Volt) - Bulk Fermi Potential is een parameter die de elektrostatische potentiaal in de bulk (binnenkant) van een halfgeleidermateriaal beschrijft.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Dopingconcentratie van acceptor: 1.32 Elektronen per kubieke centimeter --> 1320000 Elektronen per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Oppervlaktepotentieel: 0.78 Volt --> 0.78 Volt Geen conversie vereist
Bulk Fermi-potentieel: 0.25 Volt --> 0.25 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

Q_d = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A*modulus(Φ_s-Φ_f))) --> (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000*modulus(0.78-0.25)))

Evalueren ... ...

Q_d = 1.61952637096272E-06

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.61952637096272E-06 Elektronen per kubieke meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.61952637096272E-06 ≈ 1.6E-6 Elektronen per kubieke meter <-- Dichtheid van de lading van de uitputtingslaag

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » MOS-transistor » Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< MOS-transistor Rekenmachines

Equivalentiefactor voor zijwandspanning

LaTeX Gaan Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))

Fermi-potentieel voor P-type

LaTeX Gaan Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

LaTeX Gaan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

LaTeX Gaan Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand

Bekijk meer >>