Rekenmachines A tot Z
🔍
Downloaden PDF
Chemie
Engineering
Financieel
Gezondheid
Wiskunde
Fysica
Winnende percentage
Gemengde fractie
KGV van twee getallen
Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron Rekenmachine
Engineering
Chemie
Financieel
Fysica
Gezondheid
Speelplaats
Wiskunde
↳
Elektronica
Chemische technologie
Civiel
Elektrisch
Elektronica en instrumentatie
Materiaal kunde
Mechanisch
Productie Engineering
⤿
Analoge elektronica
Analoge communicatie
Antenne
CMOS-ontwerp en toepassingen
Controle systeem
Digitale beeldverwerking
Digitale communicatie
Draadloze communicatie
EDC
Elektromagnetische veldtheorie
Geïntegreerde schakelingen (IC)
Glasvezeltransmissie
Informatietheorie en codering
Ingebouwd systeem
Magnetron theorie
Ontwerp van optische vezels
Opto-elektronica-apparaten
Radarsysteem
RF-micro-elektronica
Satellietcommunicatie
Schakelsystemen voor telecommunicatie
Signaal en systemen
Solid State-apparaten
Televisie techniek
Transmissielijn en antenne
Vermogenselektronica
Versterkers
VLSI-fabricage
⤿
MOSFET
BJT
⤿
MOS-transistor
Common Mode-afwijzingsratio (CMRR)
Huidig
Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model
Kleine signaalanalyse
MOSFET-karakteristieken
N-Channel-verbetering
P-Channel-verbetering
Spanning
Transconductantie
Versterkingsfactor of winst
Vooringenomen
Weerstand
✖
Ingebouwde junctiepotentiaal verwijst naar het potentiaalverschil of de spanning die bestaat over een halfgeleiderovergang wanneer deze niet is aangesloten op een externe spanningsbron.
ⓘ
Ingebouwd verbindingspotentieel [Φ
o
]
abvolt
Attovolt
centivolt
decivolt
Dekavolt
EMU van elektrische spanning
ESU van elektrische spanning
Femtovolt
Gigavolt
Hectovolt
Kilovolt
Megavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck Voltage
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt/Ampère
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.
ⓘ
Dopingconcentratie van acceptor [N
A
]
Elektronen per kubieke Angstrom
Elektronen per kubieke attometer
Elektronen per kubieke centimeter
Elektronen per kubieke femtometer
Elektronen per kubieke meter
Elektronen per kubieke micrometer
Elektronen per kubieke millimeter
Elektronen per kubieke nanometer
Elektronen per kubieke picometer
+10%
-10%
✖
Het diepte-uitputtingsgebied van de bron is het uitputtingsgebied dat zich vormt nabij de bronterminal wanneer een spanning wordt aangelegd op de poortterminal.
ⓘ
Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron [x
dS
]
Aln
Angstrom
Arpent
astronomische eenheid
Attometer
AU van lengte
barleycorn
Miljard lichtjaar
Bohr Radius
Kabel (internationaal)
Cable (Verenigd Koningkrijk)
Cable (Verenigde Staten)
Kaliber
Centimeter
Keten
Cubit (Grieks)
El (lang)
Cubit (Verenigd Koningkrijk)
Decameter
decimeter
Afstand van de aarde tot de maan
Afstand van de aarde tot de zon
Equatoriale straal aarde
Polaire straal aarde
Elektron Radius (Klassiek)
Ell
examinator
Famn
Doorgronden
femtometer
fermi
Finger (Doek)
Vingerbreedte
Voet
Voet (Verenigde Staten schouwing)
Furlong
Gigameter
Hand
handbreedte
Hectometer
duim
gezichtskring
Kilometer
Kiloparsec
Kiloyard
Liga
Liga (Statuut)
Lichtjaar
Link
Megameter
Megaparsec
Meter
Microinch
Micrometer
Micron
Mil
Mijl
Mijl (Romeins)
Mijl (Verenigde Staten schouwing)
Millimeter
Miljoen Lichtjaar
Spijker (Doek)
Nanometer
Nautische Liga (int)
Nautical League VK
Nautical Mijl (International)
Nautical Mijl (Verenigd Koningkrijk)
parsec
Baars
Petameter
Pica
picometer
Plancklengte
Punt
Pole
Kwartaal
Reed
Riet (Lang)
hengel
Roman Actus
Touw
Russische Archin
Span (Doek)
Zonnestraal
Temperatuurmeter
Twip
Vara Castellana
Vara Conuquera
Vara De Tarea
Yard
Yoctometer
Yottameter
Zeptometer
Zettameter
⎘ Kopiëren
Stappen
👎
Formule
✖
Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron
Formule
`"x"_{"dS"} = sqrt((2*"[Permitivity-silicon]"*"Φ"_{"o"})/("[Charge-e]"*"N"_{"A"}))`
Voorbeeld
`"1.5E^7m"=sqrt((2*"[Permitivity-silicon]"*"2V")/("[Charge-e]"*"1.32electrons/cm³"))`
Rekenmachine
LaTeX
Reset
👍
Downloaden MOSFET Formule Pdf
Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron Oplossing
STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Bron's diepte van de uitputtingsregio
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Ingebouwd verbindingspotentieel
)/(
[Charge-e]
*
Dopingconcentratie van acceptor
))
x
dS
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Φ
o
)/(
[Charge-e]
*
N
A
))
Deze formule gebruikt
2
Constanten
,
1
Functies
,
3
Variabelen
Gebruikte constanten
[Permitivity-silicon]
- Permittiviteit van silicium Waarde genomen als 11.7
[Charge-e]
- Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
Functies die worden gebruikt
sqrt
- Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)
Variabelen gebruikt
Bron's diepte van de uitputtingsregio
-
(Gemeten in Meter)
- Het diepte-uitputtingsgebied van de bron is het uitputtingsgebied dat zich vormt nabij de bronterminal wanneer een spanning wordt aangelegd op de poortterminal.
Ingebouwd verbindingspotentieel
-
(Gemeten in Volt)
- Ingebouwde junctiepotentiaal verwijst naar het potentiaalverschil of de spanning die bestaat over een halfgeleiderovergang wanneer deze niet is aangesloten op een externe spanningsbron.
Dopingconcentratie van acceptor
-
(Gemeten in Elektronen per kubieke meter)
- Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Ingebouwd verbindingspotentieel:
2 Volt --> 2 Volt Geen conversie vereist
Dopingconcentratie van acceptor:
1.32 Elektronen per kubieke centimeter --> 1320000 Elektronen per kubieke meter
(Bekijk de conversie
hier
)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
x
dS
= sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Φ
o
)/([Charge-e]*N
A
)) -->
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*1320000))
Evalueren ... ...
x
dS
= 14875814.9060508
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
14875814.9060508 Meter --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
14875814.9060508
≈
1.5E+7 Meter
<--
Bron's diepte van de uitputtingsregio
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)
Je bevindt je hier
-
Huis
»
Engineering
»
Elektronica
»
MOSFET
»
Analoge elektronica
»
MOS-transistor
»
Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron
Credits
Gemaakt door
banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door
Dipanjona Mallick
Erfgoedinstituut voor technologie
(HITK)
,
Calcutta
Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!
<
21 MOS-transistor Rekenmachines
Equivalentiefactor voor zijwandspanning
Gaan
Equivalentiefactor voor zijwandspanning
= -(2*
sqrt
(
Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen
)/(
Eindspanning
-
Initiële spanning
)*(
sqrt
(
Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen
-
Eindspanning
)-
sqrt
(
Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen
-
Initiële spanning
)))
Trek de stroom in het lineaire gebied naar beneden
Gaan
Lineaire regio pull-downstroom
=
sum
(x,0,
Aantal parallelle drivertransistors
,(
Elektronenmobiliteit
*
Oxidecapaciteit
/2)*(
Kanaalbreedte
/
Kanaallengte
)*(2*(
Poortbronspanning
-
Drempelspanning
)*
Uitgangsspanning
-
Uitgangsspanning
^2))
Knooppuntspanning bij gegeven instantie
Gaan
Knooppuntspanning bij gegeven instantie
= (
Transconductantiefactor
/
Knooppuntcapaciteit
)*
int
(
exp
(-(1/(
Knooppunt weerstand
*
Knooppuntcapaciteit
))*(
Tijdsperiode
-x))*
Stroom stroomt naar knooppunt
*x,x,0,
Tijdsperiode
)
Trek de stroom in het verzadigingsgebied naar beneden
Gaan
Verzadigingsregio Pull-downstroom
=
sum
(x,0,
Aantal parallelle drivertransistors
,(
Elektronenmobiliteit
*
Oxidecapaciteit
/2)*(
Kanaalbreedte
/
Kanaallengte
)*(
Poortbronspanning
-
Drempelspanning
)^2)
Verzadigingstijd
Gaan
Verzadigingstijd
= -2*
Belastingscapaciteit
/(
Transconductantieprocesparameter
*(
Hoge uitgangsspanning
-
Drempelspanning
)^2)*
int
(1,x,
Hoge uitgangsspanning
,
Hoge uitgangsspanning
-
Drempelspanning
)
Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied
Gaan
Dichtheid van de lading van de uitputtingslaag
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingconcentratie van acceptor
*
modulus
(
Oppervlaktepotentieel
-
Bulk Fermi-potentieel
)))
Tijdvertraging wanneer NMOS in een lineair gebied werkt
Gaan
Lineair gebied in tijdvertraging
= -2*
Verbindingscapaciteit
*
int
(1/(
Transconductantieprocesparameter
*(2*(
Ingangsspanning
-
Drempelspanning
)*x-x^2)),x,
Initiële spanning
,
Eindspanning
)
Afvoerstroom die door de MOS-transistor vloeit
Gaan
Afvoerstroom
= (
Kanaalbreedte
/
Kanaallengte
)*
Elektronenmobiliteit
*
Oxidecapaciteit
*
int
((
Poortbronspanning
-x-
Drempelspanning
),x,0,
Afvoerbronspanning
)
Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met afvoer
Gaan
De diepte van het uitputtingsgebied van de drain
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Ingebouwd verbindingspotentieel
+
Afvoerbronspanning
))/(
[Charge-e]
*
Dopingconcentratie van acceptor
))
Fermi-potentieel voor N-type
Gaan
Fermi-potentieel voor N-type
= (
[BoltZ]
*
Absolute temperatuur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentratie van donordoteringsmiddelen
/
Intrinsieke dragerconcentratie
)
Afvoerstroom in verzadigingsgebied in MOS-transistor
Gaan
Verzadigingsgebied Afvoerstroom
=
Kanaalbreedte
*
Verzadiging Elektronendriftsnelheid
*
int
(
Aanval
*
Korte kanaalparameter
,x,0,
Effectieve kanaallengte
)
Fermi-potentieel voor P-type
Gaan
Fermi-potentieel voor P-type
= (
[BoltZ]
*
Absolute temperatuur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Intrinsieke dragerconcentratie
/
Dopingconcentratie van acceptor
)
Maximale uitputtingsdiepte
Gaan
Maximale uitputtingsdiepte
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Bulk Fermi-potentieel
))/(
[Charge-e]
*
Dopingconcentratie van acceptor
))
Equivalente grote signaalcapaciteit
Gaan
Equivalente grote signaalcapaciteit
= (1/(
Eindspanning
-
Initiële spanning
))*
int
(
Verbindingscapaciteit
*x,x,
Initiële spanning
,
Eindspanning
)
Ingebouwd potentieel in de uitputtingsregio
Gaan
Ingebouwde spanning
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingconcentratie van acceptor
*
modulus
(-2*
Bulk Fermi-potentieel
)))
Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron
Gaan
Bron's diepte van de uitputtingsregio
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Ingebouwd verbindingspotentieel
)/(
[Charge-e]
*
Dopingconcentratie van acceptor
))
Substraat bias-coëfficiënt
Gaan
Substraat bias-coëfficiënt
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingconcentratie van acceptor
)/
Oxidecapaciteit
Gemiddeld vermogen dat in de loop van de tijd wordt gedissipeerd
Gaan
Gemiddeld vermogen
= (1/
Totale tijd besteed
)*
int
(
Spanning
*
Huidig
,x,0,
Totale tijd genomen
)
Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit
Gaan
Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit
=
Omtrek van zijwand
*
Zijwandverbindingscapaciteit
*
Equivalentiefactor voor zijwandspanning
Werkfunctie in MOSFET
Gaan
Werk functie
=
Vacuümniveau
+(
Energieniveau van de geleidingsband
-
Fermi-niveau
)
Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid
Gaan
Zijwandverbindingscapaciteit
=
Zero Bias zijwandverbindingspotentieel
*
Diepte van zijwand
Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron Formule
Bron's diepte van de uitputtingsregio
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Ingebouwd verbindingspotentieel
)/(
[Charge-e]
*
Dopingconcentratie van acceptor
))
x
dS
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Φ
o
)/(
[Charge-e]
*
N
A
))
Huis
VRIJ PDF's
🔍
Zoeken
Categorieën
Delen
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!