Huidige ingangsafvoeraansluiting van NMOS gegeven poortbronspanning Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*Bronspanning afvoeren^2)
Id = k'n*Wc/L*((Vgs-VT)*Vds-1/2*Vds^2)
Deze formule gebruikt 7 Variabelen
Variabelen gebruikt
Afvoerstroom in NMOS - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom in NMOS is de elektrische stroom die van de afvoer naar de bron van een veldeffecttransistor (FET) of een metaaloxide-halfgeleider veldeffecttransistor (MOSFET) vloeit.
Procestransconductantieparameter in NMOS - (Gemeten in Siemens) - De Process Transconductance Parameter in NMOS (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.
Breedte van kanaal - (Gemeten in Meter) - De breedte van het kanaal verwijst naar de hoeveelheid bandbreedte die beschikbaar is voor het verzenden van gegevens binnen een communicatiekanaal.
Lengte van het kanaal - (Gemeten in Meter) - De lengte van het kanaal kan worden gedefinieerd als de afstand tussen het begin- en eindpunt en kan sterk variëren, afhankelijk van het doel en de locatie.
Poortbronspanning - (Gemeten in Volt) - De Gate Source-spanning is de spanning die over de gate-source-aansluiting van de transistor valt.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.
Bronspanning afvoeren - (Gemeten in Volt) - Drain Source Voltage is een elektrische term die wordt gebruikt in de elektronica en in het bijzonder in veldeffecttransistors. Het verwijst naar het spanningsverschil tussen de aansluitklemmen Drain en Source van de FET.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Procestransconductantieparameter in NMOS: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Bekijk de conversie ​hier)
Breedte van kanaal: 10 Micrometer --> 1E-05 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Lengte van het kanaal: 3 Micrometer --> 3E-06 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Poortbronspanning: 10.3 Volt --> 10.3 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 1.82 Volt --> 1.82 Volt Geen conversie vereist
Bronspanning afvoeren: 8.43 Volt --> 8.43 Volt Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Id = k'n*Wc/L*((Vgs-VT)*Vds-1/2*Vds^2) --> 0.002*1E-05/3E-06*((10.3-1.82)*8.43-1/2*8.43^2)
Evalueren ... ...
Id = 0.239693
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.239693 Ampère -->239.693 milliampère (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
239.693 milliampère <-- Afvoerstroom in NMOS
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri
Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

N-kanaalverbetering Rekenmachines

Huidige binnenkomende afvoerbron in triodegebied van NMOS
​ LaTeX ​ Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*(Bronspanning afvoeren)^2)
Huidige ingangsafvoeraansluiting van NMOS gegeven poortbronspanning
​ LaTeX ​ Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*Bronspanning afvoeren^2)
NMOS als lineaire weerstand
​ LaTeX ​ Gaan Lineaire weerstand = Lengte van het kanaal/(Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxide capaciteit*Breedte van kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning))
Elektron driftsnelheid van kanaal in NMOS-transistor
​ LaTeX ​ Gaan Electron Drift Snelheid = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Elektrisch veld over de lengte van het kanaal

Huidige ingangsafvoeraansluiting van NMOS gegeven poortbronspanning Formule

​LaTeX ​Gaan
Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*Bronspanning afvoeren^2)
Id = k'n*Wc/L*((Vgs-VT)*Vds-1/2*Vds^2)

Wat is afvoerstroom in MOSFET?

De afvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de subdrempelstroom en varieert exponentieel met Vgs. Het omgekeerde van de helling van de log (Ids) versus Vgs-karakteristiek wordt gedefinieerd als de subdrempelhelling, S, en is een van de meest kritische prestatiestatistieken voor MOSFET's in logische toepassingen.

Hoeveel stroom kan een MOSFET aan?

MOSFET's met hoge stroomsterkte, zoals de 511-STP200N3LL, zeggen dat ze 120 Ampère stroom aankunnen. De Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, of kortweg MOSFET, heeft een extreem hoge ingangspoortweerstand waarbij de stroom door het kanaal tussen de source en de drain stroomt. gecontroleerd door de poortspanning.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!