KGV rekenmachine

Gat met huidige dichtheid Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Geïntegreerde schakelingen (IC)Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

Bipolaire IC-fabricage MOS IC-fabricage Schmitt trigger

✖Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.ⓘ Aanval [q]			+10% -10%
✖Diffusieconstante voor PNP beschrijft hoe gemakkelijk deze minderheidsdragers door het halfgeleidermateriaal diffunderen wanneer een elektrisch veld wordt aangelegd.ⓘ Diffusieconstante voor PNP [D_p]			+10% -10%
✖Gatenevenwichtsconcentratie is een karakteristieke eigenschap van het materiaal en wordt bepaald door intrinsieke factoren zoals de bandgap-energie en temperatuur.ⓘ Gatenevenwichtsconcentratie [p_n]			+10% -10%
✖De basisbreedte is een belangrijke parameter die de eigenschappen van de transistor beïnvloedt, vooral wat betreft de werking en snelheid.ⓘ Basisbreedte [W_b]			+10% -10%

✖De gatstroomdichtheid draagt bij aan de totale stroom in een halfgeleiderapparaat en is een essentiële parameter bij het begrijpen van het gedrag van halfgeleiders.ⓘ Gat met huidige dichtheid [J_p]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Geïntegreerde schakelingen (IC) Formule Pdf PDF Image

Gat met huidige dichtheid Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Gatenstroomdichtheid = Aanval*Diffusieconstante voor PNP*(Gatenevenwichtsconcentratie/Basisbreedte)
J_p = q*D_p*(p_n/W_b)
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Gatenstroomdichtheid - (Gemeten in Ampère per vierkante meter) - De gatstroomdichtheid draagt bij aan de totale stroom in een halfgeleiderapparaat en is een essentiële parameter bij het begrijpen van het gedrag van halfgeleiders.
Aanval - (Gemeten in Coulomb) - Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.
Diffusieconstante voor PNP - (Gemeten in Vierkante meter per seconde) - Diffusieconstante voor PNP beschrijft hoe gemakkelijk deze minderheidsdragers door het halfgeleidermateriaal diffunderen wanneer een elektrisch veld wordt aangelegd.
Gatenevenwichtsconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Gatenevenwichtsconcentratie is een karakteristieke eigenschap van het materiaal en wordt bepaald door intrinsieke factoren zoals de bandgap-energie en temperatuur.
Basisbreedte - (Gemeten in Meter) - De basisbreedte is een belangrijke parameter die de eigenschappen van de transistor beïnvloedt, vooral wat betreft de werking en snelheid.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Aanval: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Bekijk de conversie hier)
Diffusieconstante voor PNP: 100 Vierkante centimeter per seconde --> 0.01 Vierkante meter per seconde (Bekijk de conversie hier)
Gatenevenwichtsconcentratie: 70 1 per kubieke centimeter --> 70000000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Basisbreedte: 8 Centimeter --> 0.08 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

J_p = q*D_p*(p_n/W_b) --> 0.005*0.01*(70000000/0.08)

Evalueren ... ...

J_p = 43750

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

43750 Ampère per vierkante meter -->4.375 Ampère per vierkante centimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

4.375 Ampère per vierkante centimeter <-- Gatenstroomdichtheid

(Berekening voltooid in 00.014 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » Bipolaire IC-fabricage » Gat met huidige dichtheid

Credits

Gemaakt door Rahul Gupta

Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Ritwik Tripathi

Vellore Instituut voor Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 100+ rekenmachines!

< Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Geleidbaarheid van N-type

LaTeX Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

LaTeX Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

LaTeX Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)

Doorbraakspanning van collector-emitter

LaTeX Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Bekijk meer >>