Stroom in inversiekanaal van PMOS gegeven mobiliteit Rekenmachine

Driftsnelheid van inversie = Mobiliteit van gaten in kanaal*Horizontale component van elektrisch veld in kanaal
V_y = μ_p*E_y
Deze formule gebruikt 3 Variabelen
Driftsnelheid van inversie - (Gemeten in Meter per seconde) - De driftsnelheid van de inversielaag in een MOSFET is de gemiddelde snelheid van de elektronen waaruit de inversielaag bestaat terwijl ze door het materiaal bewegen onder invloed van een elektrisch veld.
Mobiliteit van gaten in kanaal - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Mobiliteit van gaten in kanaal is afhankelijk van verschillende factoren zoals de kristalstructuur van het halfgeleidermateriaal, de aanwezigheid van onzuiverheden, de temperatuur,
Horizontale component van elektrisch veld in kanaal - (Gemeten in Volt per meter) - Horizontale component van elektrisch veld in kanaal is de sterkte van het elektrische veld dat bestaat in het materiaal onder de poortoxidelaag, in het gebied waar de inversielaag wordt gevormd.

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)