Huidige dichtheid als gevolg van gaten Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Gaten Huidige Dichtheid = [Charge-e]*Gaten Concentratie*Mobiliteit van gaten*Elektrische veldsterkte
Jp = [Charge-e]*Np*μp*EI
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 4 Variabelen
Gebruikte constanten
[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
Variabelen gebruikt
Gaten Huidige Dichtheid - (Gemeten in Ampère per vierkante meter) - Gaten Stroomdichtheid wordt gedefinieerd als de hoeveelheid elektrische stroom die voortvloeit als gevolg van gaten per eenheid van dwarsdoorsnede. Het wordt stroomdichtheid genoemd en uitgedrukt in ampère per vierkante meter.
Gaten Concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Gatenconcentratie verwijst naar het totale aantal gaten in een bepaald gebied.
Mobiliteit van gaten - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Mobiliteit van gaten is het vermogen van een gat om door een metaal of halfgeleider te bewegen, in aanwezigheid van een aangelegd elektrisch veld.
Elektrische veldsterkte - (Gemeten in Volt per meter) - Elektrische veldsterkte verwijst naar de kracht per eenheid lading die geladen deeltjes (zoals elektronen of gaten) in het materiaal ervaren.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Gaten Concentratie: 2E+16 1 per kubieke meter --> 2E+16 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Mobiliteit van gaten: 150 Vierkante meter per volt per seconde --> 150 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Elektrische veldsterkte: 3.428 Volt per meter --> 3.428 Volt per meter Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Jp = [Charge-e]*Npp*EI --> [Charge-e]*2E+16*150*3.428
Evalueren ... ...
Jp = 1.647678436008
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
1.647678436008 Ampère per vierkante meter --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
1.647678436008 1.647678 Ampère per vierkante meter <-- Gaten Huidige Dichtheid
(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Akshada Kulkarni
Nationaal instituut voor informatietechnologie (NIT), Neemrana
Akshada Kulkarni heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 500+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Team Softusvista
Softusvista Office (Pune), India
Team Softusvista heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1100+ rekenmachines!

Kenmerken van ladingdragers Rekenmachines

Huidige dichtheid als gevolg van elektronen
​ LaTeX ​ Gaan Elektronenstroomdichtheid = [Charge-e]*Concentratie van elektronen*Mobiliteit van Electron*Elektrische veldsterkte
Huidige dichtheid als gevolg van gaten
​ LaTeX ​ Gaan Gaten Huidige Dichtheid = [Charge-e]*Gaten Concentratie*Mobiliteit van gaten*Elektrische veldsterkte
Elektronen diffusieconstante
​ LaTeX ​ Gaan Elektronendiffusieconstante = Mobiliteit van Electron*(([BoltZ]*Temperatuur)/[Charge-e])
Hole Diffusion Lengte
​ LaTeX ​ Gaan Gaten Verspreidingslengte = sqrt(Gaten Diffusie Constante*Gatendrager Levensduur)

Huidige dichtheid als gevolg van gaten Formule

​LaTeX ​Gaan
Gaten Huidige Dichtheid = [Charge-e]*Gaten Concentratie*Mobiliteit van gaten*Elektrische veldsterkte
Jp = [Charge-e]*Np*μp*EI

Hoe verschilt de stroomdichtheid in gaten van de stroomdichtheid in elektronen?

In halfgeleider stroom vloeit niet alleen door elektronen, maar door drift van elektronen en door gaten. De beweging van gaten is altijd tegengesteld aan die van overeenkomstige elektronen. Gaten dragen stroom bij aan hun bewegingsrichting, terwijl elektronen stroom leveren die tegengesteld is aan hun bewegingsrichting. Daarom zullen beide stromen in dezelfde richting zijn. Elektronen die betrokken zijn bij het veroorzaken van stroom in de halfgeleider, bewegen door de geleidingsband terwijl gaten die de stroom in de halfgeleider veroorzaken, door de valance-band bewegen. Dat is de reden waarom de mobiliteit van elektronen en gaten in halfgeleider anders is.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!