Stroom in inversiekanaal van PMOS gegeven mobiliteit Rekenmachine

✖Mobiliteit van gaten in kanaal is afhankelijk van verschillende factoren zoals de kristalstructuur van het halfgeleidermateriaal, de aanwezigheid van onzuiverheden, de temperatuur,ⓘ Mobiliteit van gaten in kanaal [μ_p]			+10% -10%
✖Horizontale component van elektrisch veld in kanaal is de sterkte van het elektrische veld dat bestaat in het materiaal onder de poortoxidelaag, in het gebied waar de inversielaag wordt gevormd.ⓘ Horizontale component van elektrisch veld in kanaal [E_y]			+10% -10%

✖De driftsnelheid van de inversielaag in een MOSFET is de gemiddelde snelheid van de elektronen waaruit de inversielaag bestaat terwijl ze door het materiaal bewegen onder invloed van een elektrisch veld.ⓘ Stroom in inversiekanaal van PMOS gegeven mobiliteit [V_y]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Stroom in inversiekanaal van PMOS gegeven mobiliteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Driftsnelheid van inversie = Mobiliteit van gaten in kanaal*Horizontale component van elektrisch veld in kanaal
V_y = μ_p*E_y
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Driftsnelheid van inversie - (Gemeten in Meter per seconde) - De driftsnelheid van de inversielaag in een MOSFET is de gemiddelde snelheid van de elektronen waaruit de inversielaag bestaat terwijl ze door het materiaal bewegen onder invloed van een elektrisch veld.
Mobiliteit van gaten in kanaal - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Mobiliteit van gaten in kanaal is afhankelijk van verschillende factoren zoals de kristalstructuur van het halfgeleidermateriaal, de aanwezigheid van onzuiverheden, de temperatuur,
Horizontale component van elektrisch veld in kanaal - (Gemeten in Volt per meter) - Horizontale component van elektrisch veld in kanaal is de sterkte van het elektrische veld dat bestaat in het materiaal onder de poortoxidelaag, in het gebied waar de inversielaag wordt gevormd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Mobiliteit van gaten in kanaal: 2.66 Vierkante meter per volt per seconde --> 2.66 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Horizontale component van elektrisch veld in kanaal: 5.5 Volt per meter --> 5.5 Volt per meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_y = μ_p*E_y --> 2.66*5.5

Evalueren ... ...

V_y = 14.63

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

14.63 Meter per seconde -->1463 Centimeter per seconde (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

1463 Centimeter per seconde <-- Driftsnelheid van inversie

(Berekening voltooid in 00.018 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » P Kanaalverbetering » Stroom in inversiekanaal van PMOS gegeven mobiliteit

Credits

Gemaakt door Aman Dhussawat

GURU TEGH BAHADUR INSTITUUT VOOR TECHNOLOGIE (GTBIT), NIEUW DELHI

Aman Dhussawat heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

< P Kanaalverbetering Rekenmachines

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor

LaTeX Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*((Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))*Spanning tussen afvoer en bron-1/2*(Spanning tussen afvoer en bron)^2)

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor gegeven Vsd

LaTeX Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(modulus(Effectieve spanning)-1/2*Spanning tussen afvoer en bron)*Spanning tussen afvoer en bron

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor

LaTeX Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov

LaTeX Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Effectieve spanning)^2

Bekijk meer >>