✖Mobiliteit van gaten in kanaal is afhankelijk van verschillende factoren zoals de kristalstructuur van het halfgeleidermateriaal, de aanwezigheid van onzuiverheden, de temperatuur,ⓘ Mobiliteit van gaten in kanaal [μp] | | | +10% -10% |
✖Horizontale component van elektrisch veld in kanaal is de sterkte van het elektrische veld dat bestaat in het materiaal onder de poortoxidelaag, in het gebied waar de inversielaag wordt gevormd.ⓘ Horizontale component van elektrisch veld in kanaal [Ey] | | | +10% -10% |