Stroom in inversiekanaal van PMOS gegeven mobiliteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Driftsnelheid van inversie = Mobiliteit van gaten in kanaal*Horizontale component van elektrisch veld in kanaal
Vy = μp*Ey
Deze formule gebruikt 3 Variabelen
Variabelen gebruikt
Driftsnelheid van inversie - (Gemeten in Meter per seconde) - De driftsnelheid van de inversielaag in een MOSFET is de gemiddelde snelheid van de elektronen waaruit de inversielaag bestaat terwijl ze door het materiaal bewegen onder invloed van een elektrisch veld.
Mobiliteit van gaten in kanaal - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Mobiliteit van gaten in kanaal is afhankelijk van verschillende factoren zoals de kristalstructuur van het halfgeleidermateriaal, de aanwezigheid van onzuiverheden, de temperatuur,
Horizontale component van elektrisch veld in kanaal - (Gemeten in Volt per meter) - Horizontale component van elektrisch veld in kanaal is de sterkte van het elektrische veld dat bestaat in het materiaal onder de poortoxidelaag, in het gebied waar de inversielaag wordt gevormd.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Mobiliteit van gaten in kanaal: 2.66 Vierkante meter per volt per seconde --> 2.66 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Horizontale component van elektrisch veld in kanaal: 5.5 Volt per meter --> 5.5 Volt per meter Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Vy = μp*Ey --> 2.66*5.5
Evalueren ... ...
Vy = 14.63
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
14.63 Meter per seconde -->1463 Centimeter per seconde (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
1463 Centimeter per seconde <-- Driftsnelheid van inversie
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Aman Dhussawat
GURU TEGH BAHADUR INSTITUUT VOOR TECHNOLOGIE (GTBIT), NIEUW DELHI
Aman Dhussawat heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Parminder Singh
Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

P Kanaalverbetering Rekenmachines

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor
​ LaTeX ​ Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*((Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))*Spanning tussen afvoer en bron-1/2*(Spanning tussen afvoer en bron)^2)
Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor gegeven Vsd
​ LaTeX ​ Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(modulus(Effectieve spanning)-1/2*Spanning tussen afvoer en bron)*Spanning tussen afvoer en bron
Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor
​ LaTeX ​ Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2
Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov
​ LaTeX ​ Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Effectieve spanning)^2

Stroom in inversiekanaal van PMOS gegeven mobiliteit Formule

​LaTeX ​Gaan
Driftsnelheid van inversie = Mobiliteit van gaten in kanaal*Horizontale component van elektrisch veld in kanaal
Vy = μp*Ey
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!