Stroom in inversiekanaal van PMOS Rekenmachine

✖Breedte van de kruising is de parameter die aangeeft hoe breed de basisovergang is van elk analoog elektronisch element.ⓘ Breedte van de kruising [W]			+10% -10%
✖Inversielaaglading verwijst naar de accumulatie van ladingsdragers op het grensvlak tussen de halfgeleider en de isolerende oxidelaag wanneer een spanning wordt aangelegd op de poortelektrode.ⓘ Inversielaaglading [Q_p]			+10% -10%
✖De driftsnelheid van de inversielaag in een MOSFET is de gemiddelde snelheid van de elektronen waaruit de inversielaag bestaat terwijl ze door het materiaal bewegen onder invloed van een elektrisch veld.ⓘ Driftsnelheid van inversie [V_y]			+10% -10%

✖Afvoerstroom is de elektrische stroom die van de afvoer naar de bron van een veldeffecttransistor (FET) of een metaaloxide-halfgeleider veldeffecttransistor (MOSFET) vloeit.ⓘ Stroom in inversiekanaal van PMOS [I_d]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Stroom in inversiekanaal van PMOS

Formule

I d = (W \cdot Q p \cdot V y)

Voorbeeld

29.59649 mA = (1.19 m \cdot 0.0017 C/m² \cdot 1463 cm/s)

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Stroom in inversiekanaal van PMOS Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Afvoerstroom = (Breedte van de kruising*Inversielaaglading*Driftsnelheid van inversie)
I_d = (W*Q_p*V_y)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom is de elektrische stroom die van de afvoer naar de bron van een veldeffecttransistor (FET) of een metaaloxide-halfgeleider veldeffecttransistor (MOSFET) vloeit.
Breedte van de kruising - (Gemeten in Meter) - Breedte van de kruising is de parameter die aangeeft hoe breed de basisovergang is van elk analoog elektronisch element.
Inversielaaglading - (Gemeten in Coulomb per vierkante meter) - Inversielaaglading verwijst naar de accumulatie van ladingsdragers op het grensvlak tussen de halfgeleider en de isolerende oxidelaag wanneer een spanning wordt aangelegd op de poortelektrode.
Driftsnelheid van inversie - (Gemeten in Meter per seconde) - De driftsnelheid van de inversielaag in een MOSFET is de gemiddelde snelheid van de elektronen waaruit de inversielaag bestaat terwijl ze door het materiaal bewegen onder invloed van een elektrisch veld.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Breedte van de kruising: 1.19 Meter --> 1.19 Meter Geen conversie vereist
Inversielaaglading: 0.0017 Coulomb per vierkante meter --> 0.0017 Coulomb per vierkante meter Geen conversie vereist
Driftsnelheid van inversie: 1463 Centimeter per seconde --> 14.63 Meter per seconde (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

I_d = (W*Q_p*V_y) --> (1.19*0.0017*14.63)

Evalueren ... ...

I_d = 0.02959649

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.02959649 Ampère -->29.59649 milliampère (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

29.59649 milliampère <-- Afvoerstroom

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » P Kanaalverbetering » Stroom in inversiekanaal van PMOS

Credits

Gemaakt door Aman Dhussawat

GURU TEGH BAHADUR INSTITUUT VOOR TECHNOLOGIE (GTBIT), NIEUW DELHI

Aman Dhussawat heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

< P Kanaalverbetering Rekenmachines

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor

Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*((Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))*Spanning tussen afvoer en bron-1/2*(Spanning tussen afvoer en bron)^2)

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor gegeven Vsd

Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(modulus(Effectieve spanning)-1/2*Spanning tussen afvoer en bron)*Spanning tussen afvoer en bron

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Effectieve spanning)^2

Bekijk meer >>

Stroom in inversiekanaal van PMOS Formule

Afvoerstroom = (Breedte van de kruising*Inversielaaglading*Driftsnelheid van inversie)
I_d = (W*Q_p*V_y)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!