Huidige invoer van afvoeraansluiting van NMOS Rekenmachine

✖De Process Transconductance Parameter in NMOS (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.ⓘ Procestransconductantieparameter in NMOS [k'_n]			+10% -10%
✖De breedte van het kanaal verwijst naar de hoeveelheid bandbreedte die beschikbaar is voor het verzenden van gegevens binnen een communicatiekanaal.ⓘ Breedte van kanaal [W_c]			+10% -10%
✖De lengte van het kanaal kan worden gedefinieerd als de afstand tussen het begin- en eindpunt en kan sterk variëren, afhankelijk van het doel en de locatie.ⓘ Lengte van het kanaal [L]			+10% -10%
✖Drain Source Voltage is een elektrische term die wordt gebruikt in de elektronica en in het bijzonder in veldeffecttransistors. Het verwijst naar het spanningsverschil tussen de aansluitklemmen Drain en Source van de FET.ⓘ Bronspanning afvoeren [V_ds]			+10% -10%
✖Overdrive-spanning in NMOS verwijst meestal naar de spanning die wordt toegepast op een apparaat of component die de normale bedrijfsspanning overschrijdt.ⓘ Overdrive-spanning in NMOS [V_ov]			+10% -10%

✖Afvoerstroom in NMOS is de elektrische stroom die van de afvoer naar de bron van een veldeffecttransistor (FET) of een metaaloxide-halfgeleider veldeffecttransistor (MOSFET) vloeit.ⓘ Huidige invoer van afvoeraansluiting van NMOS [I_d]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Huidige invoer van afvoeraansluiting van NMOS Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*Bronspanning afvoeren*(Overdrive-spanning in NMOS-1/2*Bronspanning afvoeren)
I_d = k'_n*W_c/L*V_ds*(V_ov-1/2*V_ds)
Deze formule gebruikt 6 Variabelen

Variabelen gebruikt

Afvoerstroom in NMOS - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom in NMOS is de elektrische stroom die van de afvoer naar de bron van een veldeffecttransistor (FET) of een metaaloxide-halfgeleider veldeffecttransistor (MOSFET) vloeit.
Procestransconductantieparameter in NMOS - (Gemeten in Siemens) - De Process Transconductance Parameter in NMOS (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.
Breedte van kanaal - (Gemeten in Meter) - De breedte van het kanaal verwijst naar de hoeveelheid bandbreedte die beschikbaar is voor het verzenden van gegevens binnen een communicatiekanaal.
Lengte van het kanaal - (Gemeten in Meter) - De lengte van het kanaal kan worden gedefinieerd als de afstand tussen het begin- en eindpunt en kan sterk variëren, afhankelijk van het doel en de locatie.
Bronspanning afvoeren - (Gemeten in Volt) - Drain Source Voltage is een elektrische term die wordt gebruikt in de elektronica en in het bijzonder in veldeffecttransistors. Het verwijst naar het spanningsverschil tussen de aansluitklemmen Drain en Source van de FET.
Overdrive-spanning in NMOS - (Gemeten in Volt) - Overdrive-spanning in NMOS verwijst meestal naar de spanning die wordt toegepast op een apparaat of component die de normale bedrijfsspanning overschrijdt.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Procestransconductantieparameter in NMOS: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Bekijk de conversie hier)
Breedte van kanaal: 10 Micrometer --> 1E-05 Meter (Bekijk de conversie hier)
Lengte van het kanaal: 3 Micrometer --> 3E-06 Meter (Bekijk de conversie hier)
Bronspanning afvoeren: 8.43 Volt --> 8.43 Volt Geen conversie vereist
Overdrive-spanning in NMOS: 8.48 Volt --> 8.48 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

I_d = k'_n*W_c/L*V_ds*(V_ov-1/2*V_ds) --> 0.002*1E-05/3E-06*8.43*(8.48-1/2*8.43)

Evalueren ... ...

I_d = 0.239693

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.239693 Ampère -->239.693 milliampère (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

239.693 milliampère <-- Afvoerstroom in NMOS

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » N-kanaalverbetering » Huidige invoer van afvoeraansluiting van NMOS

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< N-kanaalverbetering Rekenmachines

Huidige binnenkomende afvoerbron in triodegebied van NMOS

LaTeX Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*(Bronspanning afvoeren)^2)

Huidige ingangsafvoeraansluiting van NMOS gegeven poortbronspanning

NMOS als lineaire weerstand

LaTeX Gaan Lineaire weerstand = Lengte van het kanaal/(Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxide capaciteit*Breedte van kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning))

Elektron driftsnelheid van kanaal in NMOS-transistor

LaTeX Gaan Electron Drift Snelheid = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Elektrisch veld over de lengte van het kanaal

Bekijk meer >>

Huidige invoer van afvoeraansluiting van NMOS Formule

LaTeX Gaan

Wat is afvoerstroom in MOSFET?

De afvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de subdrempelstroom en varieert exponentieel met V.

Hoeveel stroom kan een MOSFET aan?

MOSFET's met hoge stroomsterkte, zoals de 511-STP200N3LL, zeggen dat ze 120 Ampère stroom aankunnen. De Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, of kortweg MOSFET, heeft een extreem hoge ingangspoortweerstand waarbij de stroom door het kanaal tussen de source en de drain stroomt. gecontroleerd door de poortspanning.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!