Huidige binnenkomende afvoerbron in verzadigingsgebied van NMOS Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2
Id = 1/2*k'n*Wc/L*(Vgs-VT)^2
Deze formule gebruikt 6 Variabelen
Variabelen gebruikt
Afvoerstroom in NMOS - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom in NMOS is de elektrische stroom die van de afvoer naar de bron van een veldeffecttransistor (FET) of een metaaloxide-halfgeleider veldeffecttransistor (MOSFET) vloeit.
Procestransconductantieparameter in NMOS - (Gemeten in Siemens) - De Process Transconductance Parameter in NMOS (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.
Breedte van kanaal - (Gemeten in Meter) - De breedte van het kanaal verwijst naar de hoeveelheid bandbreedte die beschikbaar is voor het verzenden van gegevens binnen een communicatiekanaal.
Lengte van het kanaal - (Gemeten in Meter) - De lengte van het kanaal kan worden gedefinieerd als de afstand tussen het begin- en eindpunt en kan sterk variëren, afhankelijk van het doel en de locatie.
Poortbronspanning - (Gemeten in Volt) - De Gate Source-spanning is de spanning die over de gate-source-aansluiting van de transistor valt.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Procestransconductantieparameter in NMOS: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Bekijk de conversie ​hier)
Breedte van kanaal: 10 Micrometer --> 1E-05 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Lengte van het kanaal: 3 Micrometer --> 3E-06 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Poortbronspanning: 10.3 Volt --> 10.3 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 1.82 Volt --> 1.82 Volt Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Id = 1/2*k'n*Wc/L*(Vgs-VT)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(10.3-1.82)^2
Evalueren ... ...
Id = 0.239701333333333
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.239701333333333 Ampère -->239.701333333333 milliampère (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
239.701333333333 239.7013 milliampère <-- Afvoerstroom in NMOS
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri
Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

N-kanaalverbetering Rekenmachines

Huidige binnenkomende afvoerbron in triodegebied van NMOS
​ LaTeX ​ Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*(Bronspanning afvoeren)^2)
Huidige ingangsafvoeraansluiting van NMOS gegeven poortbronspanning
​ LaTeX ​ Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*Bronspanning afvoeren^2)
NMOS als lineaire weerstand
​ LaTeX ​ Gaan Lineaire weerstand = Lengte van het kanaal/(Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxide capaciteit*Breedte van kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning))
Elektron driftsnelheid van kanaal in NMOS-transistor
​ LaTeX ​ Gaan Electron Drift Snelheid = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Elektrisch veld over de lengte van het kanaal

Huidige binnenkomende afvoerbron in verzadigingsgebied van NMOS Formule

​LaTeX ​Gaan
Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2
Id = 1/2*k'n*Wc/L*(Vgs-VT)^2

Wat is een verzadigingsgebied?

De tweede regio wordt "verzadiging" genoemd. Dit is waar de basisstroom is toegenomen tot ver voorbij het punt waarop de emitter-basisovergang voorwaarts is voorgespannen. In feite is de basisstroom toegenomen tot voorbij het punt waarop de collectorstroom kan toenemen.

Wat is de voorwaarde voor een NMOS om in saturatie te zijn?

De MOSFET is in verzadiging wanneer V (GS)> V (TH) en V (DS)> V (GS) - V (TH). ... Als ik de poortspanning langzaam verhoog, beginnend bij 0, blijft de MOSFET uitgeschakeld. De LED begint een kleine hoeveelheid stroom te geleiden wanneer de poortspanning ongeveer 2,5 V is of zo.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!