GGD rekenmachine

Geleidbaarheid van P-type Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Geïntegreerde schakelingen (IC)Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

Bipolaire IC-fabricage MOS IC-fabricage Schmitt trigger

✖Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.ⓘ Aanval [q]			+10% -10%
✖Elektronendoping Siliciummobiliteit karakteriseert hoe snel een elektron door een metaal of halfgeleider kan bewegen wanneer het door een elektrisch veld wordt getrokken.ⓘ Elektronendoping Siliciummobiliteit [μ_n]			+10% -10%
✖Intrinsieke concentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.ⓘ Intrinsieke concentratie [n_i]			+10% -10%
✖Evenwichtsconcentratie van P-type elektronen zijn de minderheidsdragers en gaten zijn de meerderheidsdragers.ⓘ Evenwichtsconcentratie van het P-type [N_a]			+10% -10%
✖Gatendoping Siliciummobiliteit is het vermogen van een gat om zich door een metaal of halfgeleider te verplaatsen in aanwezigheid van een aangelegd elektrisch veld.ⓘ Hole Doping Siliciummobiliteit [μ_p]			+10% -10%

✖Ohmse geleidbaarheid is de maatstaf voor het vermogen van het materiaal om de stroom van elektrische stroom door te laten. De elektrische geleidbaarheid verschilt van materiaal tot materiaal.ⓘ Geleidbaarheid van P-type [σ]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Geïntegreerde schakelingen (IC) Formule Pdf PDF Image

Geleidbaarheid van P-type Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van het P-type)+Hole Doping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van het P-type)
σ = q*(μ_n*(n_i^2/N_a)+μ_p*N_a)
Deze formule gebruikt 6 Variabelen

Variabelen gebruikt

Ohmse geleidbaarheid - (Gemeten in Siemens/Meter) - Ohmse geleidbaarheid is de maatstaf voor het vermogen van het materiaal om de stroom van elektrische stroom door te laten. De elektrische geleidbaarheid verschilt van materiaal tot materiaal.
Aanval - (Gemeten in Coulomb) - Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.
Elektronendoping Siliciummobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Elektronendoping Siliciummobiliteit karakteriseert hoe snel een elektron door een metaal of halfgeleider kan bewegen wanneer het door een elektrisch veld wordt getrokken.
Intrinsieke concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke concentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.
Evenwichtsconcentratie van het P-type - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Evenwichtsconcentratie van P-type elektronen zijn de minderheidsdragers en gaten zijn de meerderheidsdragers.
Hole Doping Siliciummobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Gatendoping Siliciummobiliteit is het vermogen van een gat om zich door een metaal of halfgeleider te verplaatsen in aanwezigheid van een aangelegd elektrisch veld.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Aanval: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Bekijk de conversie hier)
Elektronendoping Siliciummobiliteit: 0.38 Vierkante centimeter per volt seconde --> 3.8E-05 Vierkante meter per volt per seconde (Bekijk de conversie hier)
Intrinsieke concentratie: 1.32 1 per kubieke centimeter --> 1320000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Evenwichtsconcentratie van het P-type: 7.1 1 per kubieke centimeter --> 7100000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Hole Doping Siliciummobiliteit: 2.4 Vierkante centimeter per volt seconde --> 0.00024 Vierkante meter per volt per seconde (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

σ = q*(μ_n*(n_i^2/N_a)+μ_p*N_a) --> 0.005*(3.8E-05*(1320000^2/7100000)+0.00024*7100000)

Evalueren ... ...

σ = 8.5666276056338

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

8.5666276056338 Siemens/Meter -->0.085666276056338 Mho/Centimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.085666276056338 ≈ 0.085666 Mho/Centimeter <-- Ohmse geleidbaarheid

(Berekening voltooid in 00.022 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » Bipolaire IC-fabricage » Geleidbaarheid van P-type

Credits

Gemaakt door Rahul Gupta

Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Ritwik Tripathi

Vellore Instituut voor Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 100+ rekenmachines!

< Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Geleidbaarheid van N-type

LaTeX Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

LaTeX Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

LaTeX Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)

Doorbraakspanning van collector-emitter

LaTeX Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Bekijk meer >>