GGD van twee getallen

Geleidbaarheid van N-type Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Geïntegreerde schakelingen (IC)Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

Bipolaire IC-fabricage MOS IC-fabricage Schmitt trigger

✖Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.ⓘ Aanval [q]			+10% -10%
✖Elektronendoping Siliciummobiliteit karakteriseert hoe snel een elektron door een metaal of halfgeleider kan bewegen wanneer het door een elektrisch veld wordt getrokken.ⓘ Elektronendoping Siliciummobiliteit [μ_n]			+10% -10%
✖De evenwichtsconcentratie van het N-type is gelijk aan de dichtheid van donoratomen, omdat de elektronen voor geleiding uitsluitend door het donoratoom worden gegeven.ⓘ Evenwichtsconcentratie van N-type [N_d]			+10% -10%
✖Gatendoping Siliciummobiliteit is het vermogen van een gat om zich door een metaal of halfgeleider te verplaatsen in aanwezigheid van een aangelegd elektrisch veld.ⓘ Hole Doping Siliciummobiliteit [μ_p]			+10% -10%
✖Intrinsieke concentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.ⓘ Intrinsieke concentratie [n_i]			+10% -10%

✖Ohmse geleidbaarheid is de maatstaf voor het vermogen van het materiaal om de stroom van elektrische stroom door te laten. De elektrische geleidbaarheid verschilt van materiaal tot materiaal.ⓘ Geleidbaarheid van N-type [σ]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Geleidbaarheid van N-type

Formule

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

Voorbeeld

0.085965 mho/cm = 5 mC \cdot (0.38 cm²/V*s \cdot 45 /cm³ + 2.4 cm²/V*s \cdot (\frac{{1.32 /cm³}^{2}}{45 /cm³}))

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Geïntegreerde schakelingen (IC) Formule Pdf PDF Image

Geleidbaarheid van N-type Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))
σ = q*(μ_n*N_d+μ_p*(n_i^2/N_d))
Deze formule gebruikt 6 Variabelen

Variabelen gebruikt

Ohmse geleidbaarheid - (Gemeten in Siemens/Meter) - Ohmse geleidbaarheid is de maatstaf voor het vermogen van het materiaal om de stroom van elektrische stroom door te laten. De elektrische geleidbaarheid verschilt van materiaal tot materiaal.
Aanval - (Gemeten in Coulomb) - Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.
Elektronendoping Siliciummobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Elektronendoping Siliciummobiliteit karakteriseert hoe snel een elektron door een metaal of halfgeleider kan bewegen wanneer het door een elektrisch veld wordt getrokken.
Evenwichtsconcentratie van N-type - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - De evenwichtsconcentratie van het N-type is gelijk aan de dichtheid van donoratomen, omdat de elektronen voor geleiding uitsluitend door het donoratoom worden gegeven.
Hole Doping Siliciummobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Gatendoping Siliciummobiliteit is het vermogen van een gat om zich door een metaal of halfgeleider te verplaatsen in aanwezigheid van een aangelegd elektrisch veld.
Intrinsieke concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke concentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Aanval: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Bekijk de conversie hier)
Elektronendoping Siliciummobiliteit: 0.38 Vierkante centimeter per volt seconde --> 3.8E-05 Vierkante meter per volt per seconde (Bekijk de conversie hier)
Evenwichtsconcentratie van N-type: 45 1 per kubieke centimeter --> 45000000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Hole Doping Siliciummobiliteit: 2.4 Vierkante centimeter per volt seconde --> 0.00024 Vierkante meter per volt per seconde (Bekijk de conversie hier)
Intrinsieke concentratie: 1.32 1 per kubieke centimeter --> 1320000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

σ = q*(μ_n*N_d+μ_p*(n_i^2/N_d)) --> 0.005*(3.8E-05*45000000+0.00024*(1320000^2/45000000))

Evalueren ... ...

σ = 8.596464

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

8.596464 Siemens/Meter -->0.08596464 Mho/Centimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.08596464 ≈ 0.085965 Mho/Centimeter <-- Ohmse geleidbaarheid

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » Bipolaire IC-fabricage » Geleidbaarheid van N-type

Credits

Gemaakt door Rahul Gupta

Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Ritwik Tripathi

Vellore Instituut voor Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 100+ rekenmachines!

< Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Geleidbaarheid van N-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)

Doorbraakspanning van collector-emitter

Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Bekijk meer >>