Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type Rekenmachine

✖Donorconcentratie is de concentratie van elektronen in de donortoestand.ⓘ Donor concentratie [N_d]			+10% -10%
✖Mobiliteit van elektronen wordt gedefinieerd als de grootte van de gemiddelde driftsnelheid per eenheid elektrisch veld.ⓘ Mobiliteit van Electron [μ_n]			+10% -10%

✖Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) is de maat voor het gemak waarmee een elektrische lading of warmte door een extrinsiek halfgeleidermateriaal van n-type kan gaan.ⓘ Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type [σ_n]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Halfgeleiderkenmerken Formules Pdf PDF Image

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) = Donor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron
σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 3 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Variabelen gebruikt

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) - (Gemeten in Siemens/Meter) - Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) is de maat voor het gemak waarmee een elektrische lading of warmte door een extrinsiek halfgeleidermateriaal van n-type kan gaan.
Donor concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Donorconcentratie is de concentratie van elektronen in de donortoestand.
Mobiliteit van Electron - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Mobiliteit van elektronen wordt gedefinieerd als de grootte van de gemiddelde driftsnelheid per eenheid elektrisch veld.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Donor concentratie: 2E+17 1 per kubieke meter --> 2E+17 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Mobiliteit van Electron: 180 Vierkante meter per volt per seconde --> 180 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n --> 2E+17*[Charge-e]*180

Evalueren ... ...

σ_n = 5.767835832

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

5.767835832 Siemens/Meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

5.767835832 ≈ 5.767836 Siemens/Meter <-- Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type)

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » EDC » Halfgeleiderkenmerken » Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type

Credits

Gemaakt door Akshada Kulkarni

Nationaal instituut voor informatietechnologie (NIT), Neemrana

Akshada Kulkarni heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 500+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), India

Team Softusvista heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1100+ rekenmachines!

< Halfgeleiderkenmerken Rekenmachines

Geleidbaarheid in halfgeleiders

LaTeX Gaan Geleidbaarheid = (Elektronendichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron)+(Gaten Dichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten)

Lengte elektronendiffusie

LaTeX Gaan Elektron diffusie lengte = sqrt(Elektronendiffusieconstante*Minderheid Carrier Lifetime)

Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders

LaTeX Gaan Fermi-niveau intrinsieke halfgeleider = (Geleidingsband energie+Valance Band-energie)/2

Mobiliteit van ladingdragers

LaTeX Gaan Laaddragers Mobiliteit = Drift snelheid/Elektrische veldsterkte

Bekijk meer >>

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type Formule

LaTeX Gaan

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) = Donor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron
σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n

Wat zijn extrinsieke halfgeleiders?

Extrinsieke halfgeleiders zijn slechts intrinsieke halfgeleiders die zijn gedoteerd met onzuiverheidsatomen (in dit geval eendimensionale substitutiedefecten). Doping is het proces waarbij halfgeleiders hun elektrische geleidbaarheid vergroten door atomen van verschillende elementen in hun rooster te introduceren.

Wat is een extrinsieke halfgeleider van het n-type?

Een n-type halfgeleider ontstaat wanneer zuivere halfgeleiders, zoals Si en Ge, worden gedoteerd met vijfwaardige elementen. wanneer een halfgeleider is gedoteerd met een vijfwaardig atoom, zijn elektronen de meeste ladingsdragers. Aan de andere kant zijn de gaten de minderheidsladingsdragers. Daarom worden dergelijke extrinsieke halfgeleiders n-type halfgeleiders genoemd. In een n-type halfgeleider, Aantal vrije elektronen >> Aantal gaten

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!