✖De mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van een kanaal verwijst naar het vermogen van elektronen om door het oppervlak van een halfgeleidermateriaal te bewegen of te reizen, zoals een siliciumkanaal in een transistor.ⓘ Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal [μs] | | | +10% -10% |
✖Oxidecapaciteit is een belangrijke parameter die de prestaties van MOS-apparaten beïnvloedt, zoals de snelheid en het stroomverbruik van geïntegreerde schakelingen.ⓘ Oxidecapaciteit [Cox] | | | +10% -10% |
✖Kanaalbreedte verwijst naar het frequentiebereik dat wordt gebruikt voor het verzenden van gegevens via een draadloos communicatiekanaal. Het wordt ook wel bandbreedte genoemd en wordt gemeten in hertz (Hz).ⓘ Kanaalbreedte [Wc] | | | +10% -10% |
✖Kanaallengte verwijst naar de afstand tussen de source- en drain-terminals in een veldeffecttransistor (FET).ⓘ Kanaallengte [L] | | | +10% -10% |
✖Gate-source-spanning is een kritische parameter die de werking van een FET beïnvloedt, en wordt vaak gebruikt om het gedrag van het apparaat te regelen.ⓘ Gate-bronspanning [Vgs] | | | +10% -10% |
✖Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.ⓘ Drempelspanning [Vth] | | | +10% -10% |