Concentratie van elektronen geïnjecteerd van emitter naar basis Rekenmachine

✖Thermische evenwichtsconcentratie wordt gedefinieerd als de concentratie van dragers in een versterker.ⓘ Thermische evenwichtsconcentratie [n_po]			+10% -10%
✖Base-Emitter Voltage is de doorlaatspanning tussen de basis en de emitter van de transistor.ⓘ Basis-emitterspanning [V_BE]			+10% -10%
✖Thermische spanning is de spanning die wordt geproduceerd binnen de pn-overgang.ⓘ Thermische spanning [V_t]			+10% -10%

✖De concentratie van e-geïnjecteerd van emitter naar basis is het aantal elektronen dat van emitter naar de basis is gegaan.ⓘ Concentratie van elektronen geïnjecteerd van emitter naar basis [N_p]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden BJT Formule Pdf PDF Image

Concentratie van elektronen geïnjecteerd van emitter naar basis Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Concentratie van e-geïnjecteerd van zender naar basis = Thermische evenwichtsconcentratie*e^(Basis-emitterspanning/Thermische spanning)
N_p = n_po*e^(V_BE/V_t)
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 4 Variabelen

Gebruikte constanten

e - De constante van Napier Waarde genomen als 2.71828182845904523536028747135266249

Variabelen gebruikt

Concentratie van e-geïnjecteerd van zender naar basis - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - De concentratie van e-geïnjecteerd van emitter naar basis is het aantal elektronen dat van emitter naar de basis is gegaan.
Thermische evenwichtsconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Thermische evenwichtsconcentratie wordt gedefinieerd als de concentratie van dragers in een versterker.
Basis-emitterspanning - (Gemeten in Volt) - Base-Emitter Voltage is de doorlaatspanning tussen de basis en de emitter van de transistor.
Thermische spanning - (Gemeten in Volt) - Thermische spanning is de spanning die wordt geproduceerd binnen de pn-overgang.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Thermische evenwichtsconcentratie: 1E+18 1 per kubieke meter --> 1E+18 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Basis-emitterspanning: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Geen conversie vereist
Thermische spanning: 4.7 Volt --> 4.7 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

N_p = n_po*e^(V_BE/V_t) --> 1E+18*e^(5.15/4.7)

Evalueren ... ...

N_p = 2.99140949952878E+18

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

2.99140949952878E+18 1 per kubieke meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

2.99140949952878E+18 ≈ 3E+18 1 per kubieke meter <-- Concentratie van e-geïnjecteerd van zender naar basis

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » BJT » Analoge elektronica » Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model » Concentratie van elektronen geïnjecteerd van emitter naar basis

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Rekenmachines

Klein-signaalverspreidingscapaciteit van BJT

LaTeX Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*(Collector Stroom/Drempelspanning)

Opgeslagen elektronenlading in basis van BJT

LaTeX Gaan Opgeslagen elektronenlading = Apparaat constant*Collector Stroom

Klein-signaalverspreidingscapaciteit

LaTeX Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*Transconductantie

Base-Emitter Junction Capaciteit

LaTeX Gaan Base-Emitter Junction Capaciteit = 2*Emitter-basis capaciteit

Bekijk meer >>

Concentratie van elektronen geïnjecteerd van emitter naar basis Formule

LaTeX Gaan

Concentratie van e-geïnjecteerd van zender naar basis = Thermische evenwichtsconcentratie*e^(Basis-emitterspanning/Thermische spanning)
N_p = n_po*e^(V_BE/V_t)

Hoe worden minderheidsladers gedistribueerd in BJT?

De fysieke werking van de BJT kan worden verbeterd door rekening te houden met de verdeling van minderheidsladingsdragers in de basis en de emitter. De profielen van de concentratie van elektronen in de basis en gaten in de emitter van een NPN-transistor die in de actieve modus werkt. Merk op dat aangezien de dopingconcentratie in de emitter, ND, veel hoger is dan de dopingconcentratie in de basis, NA, de concentratie van elektronen die van emitter naar basis worden geïnjecteerd, n

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!