GGD van drie getallen

Concentratie van gaten in de valentieband Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Solid State-apparaten Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

Energieband en ladingdrager Elektronen en gaten Halfgeleider dragers SSD-knooppunt

✖Effectieve staatsdichtheid in valentieband wordt gedefinieerd als de band van elektronenorbitalen waar elektronen uit kunnen springen en bij opwinding in de geleidingsband terechtkomen.ⓘ Effectieve staatsdichtheid in valentieband [N_v]			+10% -10%
✖Fermi-functie wordt gedefinieerd als een term die wordt gebruikt om de top van de verzameling elektronenenergieniveaus bij absolute nultemperatuur te beschrijven.ⓘ Fermi-functie [f_E]			+10% -10%

✖Gatenconcentratie in Valance Band verwijst naar de hoeveelheid of overvloed aan gaten in de valentieband van een halfgeleidermateriaal.ⓘ Concentratie van gaten in de valentieband [p₀]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Energieband en ladingdrager Formules Pdf PDF Image

Concentratie van gaten in de valentieband Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Gaten Concentratie in Valance Band = Effectieve staatsdichtheid in valentieband*(1-Fermi-functie)
p₀ = N_v*(1-f_E)
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Gaten Concentratie in Valance Band - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Gatenconcentratie in Valance Band verwijst naar de hoeveelheid of overvloed aan gaten in de valentieband van een halfgeleidermateriaal.
Effectieve staatsdichtheid in valentieband - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Effectieve staatsdichtheid in valentieband wordt gedefinieerd als de band van elektronenorbitalen waar elektronen uit kunnen springen en bij opwinding in de geleidingsband terechtkomen.
Fermi-functie - Fermi-functie wordt gedefinieerd als een term die wordt gebruikt om de top van de verzameling elektronenenergieniveaus bij absolute nultemperatuur te beschrijven.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Effectieve staatsdichtheid in valentieband: 240000000000 1 per kubieke meter --> 240000000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Fermi-functie: 0.022 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

p₀ = N_v*(1-f_E) --> 240000000000*(1-0.022)

Evalueren ... ...

p₀ = 234720000000

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

234720000000 1 per kubieke meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

234720000000 ≈ 2.3E+11 1 per kubieke meter <-- Gaten Concentratie in Valance Band

(Berekening voltooid in 00.006 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » Energieband en ladingdrager » Concentratie van gaten in de valentieband

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< Energieband en ladingdrager Rekenmachines

Energie van Electron gegeven Coulomb's Constante

LaTeX Gaan Energie van Electron = (Kwantum nummer^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Potentiële putlengte^2)

Constante elektronenconcentratie

LaTeX Gaan Steady State Carrier-concentratie = Elektronenconcentratie in geleidingsband+Overmatige dragerconcentratie

Valentieband energie

LaTeX Gaan Valentieband energie = Geleidingsband energie-Energie kloof

Energiekloof

LaTeX Gaan Energie kloof = Geleidingsband energie-Valentieband energie

Bekijk meer >>

Concentratie van gaten in de valentieband Formule

LaTeX Gaan

Gaten Concentratie in Valance Band = Effectieve staatsdichtheid in valentieband*(1-Fermi-functie)
p₀ = N_v*(1-f_E)

Bevat de valentieband gaten?

Gaten bevinden zich in de valentieband, een niveau onder de geleidingsband. Doping met een elektronenacceptor, een atoom dat een elektron kan accepteren, creëert een tekort aan elektronen, net als een teveel aan gaten. Omdat gaten positieve ladingsdragers zijn, is een doteerstof voor elektronenacceptor ook bekend als een doteerstof van het P-type.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!