GGD van twee getallen

Concentratie in geleidingsband Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Solid State-apparaten Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

Energieband en ladingdrager Elektronen en gaten Halfgeleider dragers SSD-knooppunt

✖Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband wordt gedefinieerd als het aantal equivalente energieminima in de geleidingsband.ⓘ Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband [N_c]			+10% -10%
✖Fermi-functie wordt gedefinieerd als een term die wordt gebruikt om de top van de verzameling elektronenenergieniveaus bij absolute nultemperatuur te beschrijven.ⓘ Fermi-functie [f_E]			+10% -10%

✖Elektronenconcentratie in geleidingsband verwijst naar de hoeveelheid of overvloed aan vrije elektronen die beschikbaar zijn voor geleiding in de geleidingsband van een halfgeleidermateriaal.ⓘ Concentratie in geleidingsband [n₀]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Energieband en ladingdrager Formules Pdf PDF Image

Concentratie in geleidingsband Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Elektronenconcentratie in geleidingsband = Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband*Fermi-functie
n₀ = N_c*f_E
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Elektronenconcentratie in geleidingsband - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Elektronenconcentratie in geleidingsband verwijst naar de hoeveelheid of overvloed aan vrije elektronen die beschikbaar zijn voor geleiding in de geleidingsband van een halfgeleidermateriaal.
Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband wordt gedefinieerd als het aantal equivalente energieminima in de geleidingsband.
Fermi-functie - Fermi-functie wordt gedefinieerd als een term die wordt gebruikt om de top van de verzameling elektronenenergieniveaus bij absolute nultemperatuur te beschrijven.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband: 640000000 1 per kubieke meter --> 640000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Fermi-functie: 0.022 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

n₀ = N_c*f_E --> 640000000*0.022

Evalueren ... ...

n₀ = 14080000

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

14080000 1 per kubieke meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

14080000 ≈ 1.4E+7 1 per kubieke meter <-- Elektronenconcentratie in geleidingsband

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » Energieband en ladingdrager » Concentratie in geleidingsband

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< Energieband en ladingdrager Rekenmachines

Energie van Electron gegeven Coulomb's Constante

LaTeX Gaan Energie van Electron = (Kwantum nummer^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Potentiële putlengte^2)

Constante elektronenconcentratie

LaTeX Gaan Steady State Carrier-concentratie = Elektronenconcentratie in geleidingsband+Overmatige dragerconcentratie

Valentieband energie

LaTeX Gaan Valentieband energie = Geleidingsband energie-Energie kloof

Energiekloof

LaTeX Gaan Energie kloof = Geleidingsband energie-Valentieband energie

Bekijk meer >>

Concentratie in geleidingsband Formule

LaTeX Gaan

Elektronenconcentratie in geleidingsband = Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband*Fermi-functie
n₀ = N_c*f_E

Is de elektronenconcentratie gelijk aan de gatenconcentratie in dit intrinsieke silicium?

In een intrinsieke halfgeleider is het aantal elektronen dat in de geleidingsband wordt gegenereerd gelijk aan het aantal gaten dat in de valentieband wordt gegenereerd. Daarom is de concentratie van de elektronendrager gelijk aan de concentratie van de gatendrager.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!